发明授权
- 专利标题： Procédé de formation d'un niveau d'un circuit intégré par intégration tridimensionnelle séquentielle
- 专利标题（英）： Manufacturing method of one level of a tridimensional integrated circuit by tridimensional sequential integration
- 专利标题（中）： 使用三维连续一体化的三组分的水平的生产过程
-
申请号： EP10164878.0申请日： 2010-06-03
-
公开(公告)号： EP2259304B1公开(公告)日： 2016-05-04
- 发明人: Coudrain, Perceval , Coronel, Philippe , Buffet, Nicolas
- 申请人： STmicroelectronics SA , STMicroelectronics (Crolles 2) SAS , Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
- 申请人地址： 29, boulevard Romain Rolland 92120 Montrouge FR
- 专利权人： STmicroelectronics SA,STMicroelectronics (Crolles 2) SAS,Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
- 当前专利权人： STmicroelectronics SA,STMicroelectronics (Crolles 2) SAS,Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
- 当前专利权人地址： 29, boulevard Romain Rolland 92120 Montrouge FR
- 代理机构： de Beaumont, Michel
- 优先权： FR0953766 20090605
- 主分类号： H01L21/822
- IPC分类号： H01L21/822 ; H01L27/06
公开/授权文献
信息查询
IPC分类:
