发明公开
- 专利标题： Optoelektronisches Halbleiterbauelement
- 专利标题（英）： Optoelectronic semiconductor element
- 专利标题（中）： 的光电子半导体器件
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申请号： EP10165590.0申请日： 2010-06-10
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公开(公告)号： EP2262067A3公开(公告)日： 2012-01-04
- 发明人: Crump, Paul , Erbert, Götz , Pietrzak, Agnieszka , Wenzel, Hans , Bugge, Frank , Zorn, Martin
- 申请人： Forschungsverbund Berlin e.V.
- 申请人地址： Rudower Chaussee 17 12489 Berlin DE
- 专利权人： Forschungsverbund Berlin e.V.
- 当前专利权人： Forschungsverbund Berlin e.V.
- 当前专利权人地址： Rudower Chaussee 17 12489 Berlin DE
- 代理机构： Gulde Hengelhaupt Ziebig & Schneider
- 优先权： DE102009024945 20090610
- 主分类号： H01S5/32
- IPC分类号： H01S5/32 ; H01S5/20 ; H01S5/22 ; H01S5/34
摘要：
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Hochleistungslaserdiode mit einer vorteilhaften Energieabstrahlung im Fernfeld, d.h. Abstrahlung mit einem schmalen vertikalen Fernfeld.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Hochleistungslaserdiode und ein Verfahren zu deren Herstellung anzugeben, die trotz relativ geringer Weftenfeiterschichtdicken eine Abstrahlung mit geringer Divergenz bezogen auf das vertikale Fernteld aufweist. Dadurch soll insbesondere eine effiziente Einkopplung der Laserstrahlung in optische Systeme, z.B. eine Lichtleitfaser, gewährleistet werden.
Erfindungsgemäß weist die wobei die aktive Schicht (10) eine Quantentopfstruktur auf, bei der mindestens eine Topfschicht (20) und mindestens zwei Barriereschichten (22) abwechselnd aufeinander geschichtet sind, wobei die jeweils den Wellenleiterschichten (12, 16) nächstgelegenen Barriereschichten (22a, 22b) eine Brechzahl aufweisen, die kleiner oder gleich als die Brechzahl der jeweils angrenzenden Wellenleiterschicht (12, 16) ist.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Hochleistungslaserdiode und ein Verfahren zu deren Herstellung anzugeben, die trotz relativ geringer Weftenfeiterschichtdicken eine Abstrahlung mit geringer Divergenz bezogen auf das vertikale Fernteld aufweist. Dadurch soll insbesondere eine effiziente Einkopplung der Laserstrahlung in optische Systeme, z.B. eine Lichtleitfaser, gewährleistet werden.
Erfindungsgemäß weist die wobei die aktive Schicht (10) eine Quantentopfstruktur auf, bei der mindestens eine Topfschicht (20) und mindestens zwei Barriereschichten (22) abwechselnd aufeinander geschichtet sind, wobei die jeweils den Wellenleiterschichten (12, 16) nächstgelegenen Barriereschichten (22a, 22b) eine Brechzahl aufweisen, die kleiner oder gleich als die Brechzahl der jeweils angrenzenden Wellenleiterschicht (12, 16) ist.
公开/授权文献
- EP2262067B1 Optoelektronisches Halbleiterbauelement 公开/授权日：2015-01-14
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