公开(公告)号：EP2595259B1

公开(公告)日：2020-01-01

申请号：EP12191454.3

申请日：2012-11-06

申请人： Forschungsverbund Berlin e.V.

发明人： Brox, Olaf ,  Bugge, Frank ,  Crump, Paul ,  Erbert, Götz ,  Maaßdorf, Andre ,  Schultz, Christoph M. ,  Wenzel, Hans ,  Weyers, Markus

IPC分类号： H01S5/12 ,  H01L33/00 ,  H01L33/10 ,  H01S5/323

公开(公告)号：EP2262067B1

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：EP10165590.0

申请日：2010-06-10

申请人： Forschungsverbund Berlin e.V.

发明人： Crump, Paul ,  Erbert, Götz ,  Pietrzak, Agnieszka ,  Wenzel, Hans ,  Bugge, Frank ,  Zorn, Martin

IPC分类号： H01S5/32 ,  H01S5/20 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34

CPC分类号： H01S5/32 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3407 ,  H01S2301/18

公开(公告)号：EP2262067A3

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：EP10165590.0

申请日：2010-06-10

申请人： Forschungsverbund Berlin e.V.

发明人： Crump, Paul ,  Erbert, Götz ,  Pietrzak, Agnieszka ,  Wenzel, Hans ,  Bugge, Frank ,  Zorn, Martin

IPC分类号： H01S5/32 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34

CPC分类号： H01S5/32 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3407 ,  H01S2301/18

摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Hochleistungslaserdiode mit einer vorteilhaften Energieabstrahlung im Fernfeld, d.h. Abstrahlung mit einem schmalen vertikalen Fernfeld.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Hochleistungslaserdiode und ein Verfahren zu deren Herstellung anzugeben, die trotz relativ geringer Weftenfeiterschichtdicken eine Abstrahlung mit geringer Divergenz bezogen auf das vertikale Fernteld aufweist. Dadurch soll insbesondere eine effiziente Einkopplung der Laserstrahlung in optische Systeme, z.B. eine Lichtleitfaser, gewährleistet werden.
Erfindungsgemäß weist die wobei die aktive Schicht (10) eine Quantentopfstruktur auf, bei der mindestens eine Topfschicht (20) und mindestens zwei Barriereschichten (22) abwechselnd aufeinander geschichtet sind, wobei die jeweils den Wellenleiterschichten (12, 16) nächstgelegenen Barriereschichten (22a, 22b) eine Brechzahl aufweisen, die kleiner oder gleich als die Brechzahl der jeweils angrenzenden Wellenleiterschicht (12, 16) ist.

公开(公告)号：EP2262067A2

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：EP10165590.0

申请日：2010-06-10

申请人： Forschungsverbund Berlin e.V.

发明人： Crump, Paul ,  Erbert, Götz ,  Pietrzak, Agnieszka ,  Wenzel, Hans ,  Bugge, Frank ,  Zorn, Martin

IPC分类号： H01S5/32 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34

CPC分类号： H01S5/32 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3407 ,  H01S2301/18

摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Hochleistungslaserdiode mit einer vorteilhaften Energieabstrahlung im Fernfeld, d.h. Abstrahlung mit einem schmalen vertikalen Fernfeld.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Hochleistungslaserdiode und ein Verfahren zu deren Herstellung anzugeben, die trotz relativ geringer Weftenfeiterschichtdicken eine Abstrahlung mit geringer Divergenz bezogen auf das vertikale Fernteld aufweist. Dadurch soll insbesondere eine effiziente Einkopplung der Laserstrahlung in optische Systeme, z.B. eine Lichtleitfaser, gewährleistet werden.
Erfindungsgemäß weist die wobei die aktive Schicht (10) eine Quantentopfstruktur auf, bei der mindestens eine Topfschicht (20) und mindestens zwei Barriereschichten (22) abwechselnd aufeinander geschichtet sind, wobei die jeweils den Wellenleiterschichten (12, 16) nächstgelegenen Barriereschichten (22a, 22b) eine Brechzahl aufweisen, die kleiner oder gleich als die Brechzahl der jeweils angrenzenden Wellenleiterschicht (12, 16) ist.

摘要翻译： 光电子半导体器件具有适于产生辐射的有源层，并且具有设置在有源层一侧的波导层。 波导层和另一个波导层的厚度之和大于2微米。 最靠近前一个波导层和后一个波导层的阻挡层的折射率小于或等于相邻波导层的折射率。

公开(公告)号：EP2595259A3

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：EP12191454.3

申请日：2012-11-06

申请人： Forschungsverbund Berlin e.V.

发明人： Brox, Olaf ,  Bugge, Frank ,  Crump, Paul ,  Erbert, Götz ,  Maaßdorf, Andre ,  Schultz, Christoph M. ,  Wenzel, Hans ,  Weyers, Markus

IPC分类号： H01S5/12 ,  H01L33/00 ,  H01L33/10 ,  H01S5/323

摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft einen Diodenlaser mit hoher Effizienz und ein Verfahren zu dessen Herstellung.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Diodenlaser mit aluminiumhaltigen Schichten und einem zur Stabilisierung der Emissionswellenlänge implementierten Bragg-Gitter zu beschreiben, der im Vergleich zu herkömmlichen Laserdioden eine höhere Leistung und/oder einen höheren Wirkungsgrad aufweist.
Die Idee der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass zur Einbringung des Bragg-Gitters eine Aufteilung des Wachstumsprozesses in zwei Teilschritte vorgesehen wird, wobei eine kontinuierliche aluminiumfreie Schicht und eine aluminiumfreie Maskenschicht nach dem ersten Wachstumsprozess kontinuierlich derart aufgebracht werden, dass die aluminiumhaltige Schicht vollständig von der kontinuierlichen aluminiumfreien Schicht überdeckt wird. Daher kann eine Strukturierung außerhalb eines Reaktors erfolgen, ohne dass es zu einer ungewollten Oxidation der aluminiumhaltigen Halbleiterschicht kommt. Anschließend kann die vorstrukturierte Halbleiteroberfläche innerhalb des Reaktors weiter geätzt werden, sodass die Strukturierung bis in die aluminiumhaltige Schicht hinein abgeformt wird. Dabei wird so wenig Sauerstoff in das Halbleiterkristall der aluminiumhaltigen Schichten in der Umgebung des Gitters eingebaut, dass die Leistung und Effizienz eines erfindungsgemäßen Diodenlasers gegenüber einem Diodenlaser ohne die Gitterschichten, der in einem Epitaxieschritt hergestellt worden ist, nicht verringert ist.

公开(公告)号：EP2595259A2

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：EP12191454.3

申请日：2012-11-06

申请人： Forschungsverbund Berlin e.V.

发明人： Brox, Olaf ,  Bugge, Frank ,  Crump, Paul ,  Erbert, Götz ,  Maaßdorf, Andre ,  Schultz, Christoph M. ,  Wenzel, Hans ,  Weyers, Markus

IPC分类号： H01S5/12

摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft einen Diodenlaser mit hoher Effizienz und ein Verfahren zu dessen Herstellung.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Diodenlaser mit aluminiumhaltigen Schichten und einem zur Stabilisierung der Emissionswellenlänge implementierten Bragg-Gitter zu beschreiben, der im Vergleich zu herkömmlichen Laserdioden eine höhere Leistung und/oder einen höheren Wirkungsgrad aufweist.
Die Idee der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass zur Einbringung des Bragg-Gitters eine Aufteilung des Wachstumsprozesses in zwei Teilschritte vorgesehen wird, wobei eine kontinuierliche aluminiumfreie Schicht und eine aluminiumfreie Maskenschicht nach dem ersten Wachstumsprozess kontinuierlich derart aufgebracht werden, dass die aluminiumhaltige Schicht vollständig von der kontinuierlichen aluminiumfreien Schicht überdeckt wird. Daher kann eine Strukturierung außerhalb eines Reaktors erfolgen, ohne dass es zu einer ungewollten Oxidation der aluminiumhaltigen Halbleiterschicht kommt. Anschließend kann die vorstrukturierte Halbleiteroberfläche innerhalb des Reaktors weiter geätzt werden, sodass die Strukturierung bis in die aluminiumhaltige Schicht hinein abgeformt wird. Dabei wird so wenig Sauerstoff in das Halbleiterkristall der aluminiumhaltigen Schichten in der Umgebung des Gitters eingebaut, dass die Leistung und Effizienz eines erfindungsgemäßen Diodenlasers gegenüber einem Diodenlaser ohne die Gitterschichten, der in einem Epitaxieschritt hergestellt worden ist, nicht verringert ist.

摘要翻译： 该方法包括在含铝层（1）内形成布拉格光栅，并通过蚀刻来构造无铝掩模层（3），使得该层对应于涂漆掩模（4）的结构， 其部分地暴露无铝层（2）。 铝层完全被无铝层覆盖。 反应器内的无铝层通过气态蚀刻介质浇铸掩模层而构成，使得无铝层具有网格结构。 另一个含铝层（5）连接在反应器内。 对于包括覆层的二极管激光器也包括独立权利要求。