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EP2272810A2 Substrat auf Basis von Siliciumnitrid für Halbleiter-Bauelemente
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Substrat auf Basis von SiliciumnitridfürHalbleiter-Bauelemente
- 专利标题: Substrat auf Basis von Siliciumnitrid für Halbleiter-Bauelemente
- 专利标题(英): Silicon nitride based substrate for semi-conductor components
- 专利标题(中): Substrat auf Basis von SiliciumnitridfürHalbleiter-Bauelemente
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申请号: EP10179348.7申请日: 2001-11-22
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公开(公告)号: EP2272810A2公开(公告)日: 2011-01-12
- 发明人: Wötting, Gerhard , Woditsch, Peter , Häßller, Christian , Stolwerck, Gunther
- 申请人: H.C. Starck Ceramics GmbH & Co. KG
- 申请人地址: Lorenz-Hutschenreuther-Strasse 81 95100 Selb DE
- 专利权人: H.C. Starck Ceramics GmbH & Co. KG
- 当前专利权人: H.C. Starck Ceramics GmbH & Co. KG
- 当前专利权人地址: Lorenz-Hutschenreuther-Strasse 81 95100 Selb DE
- 优先权: DE10060221 20001204
- 主分类号: C04B35/589
- IPC分类号: C04B35/589 ; C04B35/591 ; C04B41/52 ; C04B41/89 ; H01L31/0392 ; H01L31/18
摘要:
Substrat auf Basis von Siliciumnitrid für Halbleiter-Bauelemente, wobei das Substrat als kristalline Phasen Siliciumnitrid (Si 3 N 4 ), Siliciumcarbid (SiC) und Siliciumoxynitrid (Si 2 N 2 O) enthält und der Phasenbestand an Silicium ≤ 5%, die Schwindung bei der Herstellung
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