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EP2272810A2 Substrat auf Basis von Siliciumnitrid für Halbleiter-Bauelemente 审中-公开
Substrat auf Basis von SiliciumnitridfürHalbleiter-Bauelemente

Substrat auf Basis von Siliciumnitrid für Halbleiter-Bauelemente
摘要:
Substrat auf Basis von Siliciumnitrid für Halbleiter-Bauelemente, wobei das Substrat als kristalline Phasen Siliciumnitrid (Si 3 N 4 ), Siliciumcarbid (SiC) und Siliciumoxynitrid (Si 2 N 2 O) enthält und der Phasenbestand an Silicium ≤ 5%, die Schwindung bei der Herstellung
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