发明公开
EP2276060A4 PROCESS FOR PRODUCING SI(1-V-W-X)CWALXNV BASE MATERIAL, PROCESS FOR PRODUCING EPITAXIAL WAFER, SI(1-V-W-X)CWALXNVBASE MATERIAL, AND EPITAXIAL WAFER & xA;
有权
PROCESS FOR A的Si（1-V-W-X）CWALXNV基材的制备中，用于制造外延晶片，硅（1-V-W-X）CWALXNV基材料和外延晶片
- 专利标题： PROCESS FOR PRODUCING SI(1-V-W-X)CWALXNV BASE MATERIAL, PROCESS FOR PRODUCING EPITAXIAL WAFER, SI(1-V-W-X)CWALXNVBASE MATERIAL, AND EPITAXIAL WAFER & xA;
- 专利标题（中）： PROCESS FOR A的Si（1-V-W-X）CWALXNV基材的制备中，用于制造外延晶片，硅（1-V-W-X）CWALXNV基材料和外延晶片
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申请号： EP09733673申请日： 2009-04-17
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公开(公告)号： EP2276060A4公开(公告)日： 2013-10-16
- 发明人: SATOH ISSEI , MIYANAGA MICHIMASA , FUJIWARA SHINSUKE , NAKAHATA HIDEAKI
- 申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
- 专利权人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
- 当前专利权人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
- 优先权： JP2008114467 2008-04-24; JP2009056915 2009-03-10
- 主分类号： C30B29/38
- IPC分类号： C30B29/38 ; C23C14/06 ; C23C14/28 ; C30B23/02 ; C30B23/08 ; C30B25/02 ; C30B29/36 ; C30B29/40 ; H01L21/02 ; H01L29/267
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