发明授权
- 专利标题： CAPACITIVE DISCHARGE METHOD FOR WRITING TO NON-VOLATILE MEMORY
- 专利标题（中）： 电容储能方法将数据写入非易失性存储单元
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申请号： EP09771207.9申请日： 2009-06-26
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公开(公告)号： EP2304732B1公开(公告)日： 2014-08-20
- 发明人: SCHEUERLEIN, Roy, E. , FASOLI, Luca, G. , YAN, Tianhong
- 申请人： SanDisk 3D LLC
- 申请人地址： 601 McCarthy Boulevard Milpitas, CA 95035 US
- 专利权人： SanDisk 3D LLC
- 当前专利权人： SanDisk 3D LLC
- 当前专利权人地址： 601 McCarthy Boulevard Milpitas, CA 95035 US
- 代理机构： Tothill, John Paul
- 优先权： US76553 20080627; US339338 20081219
- 国际公布： WO2009158676 20091230
- 主分类号： G11C13/00
- IPC分类号： G11C13/00 ; G11C7/22
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