发明授权
- 专利标题： HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EINEN III-V BASIERTEN INDIUM- HALTIGEN OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIP UND ENTSPRECHENDER CHIP
- 专利标题（英）： EP2313934B1 - Production method for a iii-v based optoelectronic semiconductor chip containing indium and corresponding chip
- 专利标题（中）： 制造III-V族含铟光电子半导体芯片及相应芯片的方法
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申请号： EP09775997.1申请日： 2009-07-21
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公开(公告)号： EP2313934B1公开(公告)日： 2018-01-17
- 发明人: LUTGEN, Stephan , EICHLER, Christoph , SCHILLGALIES, Marc , QUEREN, Désirée
- 申请人： Osram Opto Semiconductors Gmbh
- 申请人地址： Leibnizstr 4 93055 Regensburg DE
- 专利权人： Osram Opto Semiconductors Gmbh
- 当前专利权人： Osram Opto Semiconductors Gmbh
- 当前专利权人地址： Leibnizstr 4 93055 Regensburg DE
- 代理机构： Epping - Hermann - Fischer
- 优先权： DE102008035784 20080731
- 国际公布： WO2010012266 20100204
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01S5/042 ; H01L33/24 ; H01L33/00 ; H01S5/223 ; H01L31/0236 ; H01S5/32 ; H01S5/20 ; H01S5/24
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