发明授权
- 专利标题： METHOD FOR PROVIDING AN ION-IMPLANTED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
- 专利标题（中）： 方法用于生产离子注入半导体衬底
-
申请号： EP10195067.3申请日： 2010-12-15
-
公开(公告)号： EP2336827B1公开(公告)日： 2015-09-16
- 发明人: Pohlers, Gerhard
- 申请人： Rohm and Haas Electronic Materials LLC
- 申请人地址： 455 Forest Street Marlborough, MA 01752 US
- 专利权人： Rohm and Haas Electronic Materials LLC
- 当前专利权人： Rohm and Haas Electronic Materials LLC
- 当前专利权人地址： 455 Forest Street Marlborough, MA 01752 US
- 代理机构： Houghton, Mark Phillip
- 优先权： US286756P 20091215
- 主分类号： G03F7/039
- IPC分类号： G03F7/039 ; H01L21/365
公开/授权文献
- EP2336827A1 Photoresists and methods for use thereof 公开/授权日：2011-06-22
信息查询
IPC分类:
