发明公开
- 专利标题： Photodétecteur à structure plasmon
- 专利标题（英）： Photodetector with plasmon structure
- 专利标题（中）： 等离子体激元结构光电探测器
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申请号： EP10306309.5申请日： 2010-11-29
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公开(公告)号： EP2339640A1公开(公告)日： 2011-06-29
- 发明人: Gravrand, Olivier , Destefanis, Gérard , Le Perchec, Jérôme
- 申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
- 申请人地址： Bâtiment "Le Ponant D" 25, rue Leblanc 75015 Paris FR
- 专利权人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
- 当前专利权人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
- 当前专利权人地址： Bâtiment "Le Ponant D" 25, rue Leblanc 75015 Paris FR
- 代理机构： Vuillermoz, Bruno
- 优先权： FR0959569 20091224
- 主分类号： H01L31/02
- IPC分类号： H01L31/02 ; H01L31/103
摘要：
Ce photodétecteur comprend :
■ une couche semiconductrice dopée (12);
■ une couche réflectrice (22), agencée sous la couche semiconductrice (12);
■ une structure métallique (16), agencée sur la couche semiconductrice (12), et formant avec la couche semiconductrice (12) un résonateur par excitation d'un mode plasmon de surface,
■ une pluralité de zones semiconductrices (24), formées dans la couche semiconductrice (12) et présentant un dopage opposé au dopage de celle-ci ; et
■ pour chaque zone semiconductrice (24), un conducteur (26) traversant le photodétecteur depuis la couche réflectrice (22) jusqu'au moins la zone semiconductrice (24), et isolé électriquement de la structure métallique (16), la zone semiconductrice (24) associée au conducteur (26) correspondant déterminant ainsi une surface élémentaire de détection du photodétecteur.
■ une couche semiconductrice dopée (12);
■ une couche réflectrice (22), agencée sous la couche semiconductrice (12);
■ une structure métallique (16), agencée sur la couche semiconductrice (12), et formant avec la couche semiconductrice (12) un résonateur par excitation d'un mode plasmon de surface,
■ une pluralité de zones semiconductrices (24), formées dans la couche semiconductrice (12) et présentant un dopage opposé au dopage de celle-ci ; et
■ pour chaque zone semiconductrice (24), un conducteur (26) traversant le photodétecteur depuis la couche réflectrice (22) jusqu'au moins la zone semiconductrice (24), et isolé électriquement de la structure métallique (16), la zone semiconductrice (24) associée au conducteur (26) correspondant déterminant ainsi une surface élémentaire de détection du photodétecteur.
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