公开(公告)号：EP2339647B1

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：EP10306305.3

申请日：2010-11-26

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： Gravrand, Olivier ,  Destefanis, Gérard ,  Le Perchec, Jérôme

IPC分类号： H01L31/103

CPC分类号： H01L31/1032 ,  G01J5/0853 ,  G01J5/10 ,  G01J5/20 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/1465 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/03529 ,  Y02E10/50

公开(公告)号：EP2432034B1

公开(公告)日：2017-08-09

申请号：EP11306126.1

申请日：2011-09-12

申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES

发明人： Gravrand, Olivier ,  Baylet, Jacques

IPC分类号： H01L31/101 ,  H01L31/18 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L31/1832 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14652 ,  H01L27/14696 ,  H01L31/1013

公开(公告)号：EP2477231A2

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：EP11306668.2

申请日：2011-12-15

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： Espiau de Lamaestre, Roch ,  Boutami, Salim ,  Gravrand, Olivier ,  Le Perchec, Jérome

IPC分类号： H01L31/0232

CPC分类号： H01L31/02327 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/0232

摘要： Détecteur à éclairage arrière pour la détection d'un rayonnement électromagnétique autour d'une longueur d'onde prédéterminée, comprenant :
- une couche semi-conductrice d'absorption (14), formée au dessus d'un milieu transparent, et apte à transmettre au moins une partie dudit rayonnement; et
- un miroir (22) au dessus de la couche semi-conductrice (14), et
- disposé entre le miroir (22) et la couche semi-conductrice (14), un réseau périodique (18) de motifs métalliques (20), le miroir (22) et le réseau (18) étant compris dans une couche de matériau (16) transparente audit rayonnement et formée sur la couche semi-conductrice (14).
Le miroir (22) et le réseau (18) vérifient : d ≤ λ Re n 1 λ 16 × Re n 2 + m × λ 2 × Re n 2 ≤ h ≤ 3 × λ 8 × Re n 2 + m × λ 2 × Re n 2 Re n 2 ≤ 1 , 3 × Re n 1 Re n 1 ≥ Re n substrat
où
∎ d est la distance entre la couche semi-conductrice (14) et le réseau (18),
∎ h est la distance entre le miroir (22) et le réseau (18),
∎ m est un entier positif ou nul,
∎ λ est une longueur d'onde à laquelle la couche semi-conductrice (14) est absorbante,
∎ n 1 , n 2 et n substrat sont les indice de réfraction de la couche semi-conductrice (14), de la couche (16) et du milieu (12)

摘要翻译： 所述检测器（10）具有上述的半导体吸收层（14）放置在反射镜（22），以反映电磁辐射。 的薄金属图案/杆（20）的一维周期性光栅（18）的反射镜和所述层之间放置。 镜和光栅验证以下关系包括参数：例如实分量，距离（D，H）的层和所述光栅之间并在反射镜和光栅，正/零整数，波长在其中所述层是吸收，折射率之间 该层的，透明层部分（16），和透明介质（12）。 所述透明介质为碲化镉锌基板，或空气层。 反射镜是平面金属镜或布拉格镜。

公开(公告)号：EP2477231A3

公开(公告)日：2017-12-27

申请号：EP11306668.2

申请日：2011-12-15

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： Espiau de Lamaestre, Roch ,  Boutami, Salim ,  Gravrand, Olivier ,  Le Perchec, Jérome

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/0224

CPC分类号： H01L31/02327 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/0232

摘要： Détecteur à éclairage arrière pour la détection d'un rayonnement électromagnétique autour d'une longueur d'onde prédéterminée, comprenant :
- une couche semi-conductrice d'absorption (14), formée au dessus d'un milieu transparent, et apte à transmettre au moins une partie dudit rayonnement; et
- un miroir (22) au dessus de la couche semi-conductrice (14), et
- disposé entre le miroir (22) et la couche semi-conductrice (14), un réseau périodique (18) de motifs métalliques (20), le miroir (22) et le réseau (18) étant compris dans une couche de matériau (16) transparente audit rayonnement et formée sur la couche semi-conductrice (14).
Le miroir (22) et le réseau (18) vérifient : d ≤ λ Re n 1 λ 16 × Re n 2 + m × λ 2 × Re n 2 ≤ h ≤ 3 × λ 8 × Re n 2 + m × λ 2 × Re n 2 Re n 2 ≤ 1 , 3 × Re n 1 Re n 1 ≥ Re n substrat
où
∎ d est la distance entre la couche semi-conductrice (14) et le réseau (18),
∎ h est la distance entre le miroir (22) et le réseau (18),
∎ m est un entier positif ou nul,
∎ λ est une longueur d'onde à laquelle la couche semi-conductrice (14) est absorbante,
∎ n 1 , n 2 et n substrat sont les indice de réfraction de la couche semi-conductrice (14), de la couche (16) et du milieu (12)

摘要翻译： 背光探测器，用于探测预定波长周围的电磁辐射，包括： - 吸收半导体层（14），形成在透明介质上方并且能够透射 所述辐射的至少一部分; 以及 - 所述半导体层（14）上面的反射镜（22），以及 - 布置在所述反射镜（22）和半导体层（14），金属图案的周期性光栅（18），（20）之间 所述反射镜（22）和所述光栅（18）被包括在对所述辐射透明并形成在所述半导体层（14）上的材料层（16）中。 反射镜（22）和网络（18）满足：λ16d≤λRen1×REN2 + M×λ2Ren2≤h≤3×××λ8REN2 + M×λ2××REN2Ren2≤1,3REN1Ren1≥Rensubstrat其中 ∎d是所述半导体层（14）和网络（18）之间的距离，∎h是反射镜（22）和网络（18）之间的距离，∎m是正整数或零，∎λ 是所述半导体层（14）是吸水，∎N1，N2和nsubstrat是层（16）的半导体层（14）的折射率的波长和介质（ 12）

公开(公告)号：EP2339640A1

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：EP10306309.5

申请日：2010-11-29

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： Gravrand, Olivier ,  Destefanis, Gérard ,  Le Perchec, Jérôme

IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/103

CPC分类号： H01L31/02002 ,  H01L31/1032

摘要： Ce photodétecteur comprend :
■ une couche semiconductrice dopée (12);
■ une couche réflectrice (22), agencée sous la couche semiconductrice (12);
■ une structure métallique (16), agencée sur la couche semiconductrice (12), et formant avec la couche semiconductrice (12) un résonateur par excitation d'un mode plasmon de surface,
■ une pluralité de zones semiconductrices (24), formées dans la couche semiconductrice (12) et présentant un dopage opposé au dopage de celle-ci ; et
■ pour chaque zone semiconductrice (24), un conducteur (26) traversant le photodétecteur depuis la couche réflectrice (22) jusqu'au moins la zone semiconductrice (24), et isolé électriquement de la structure métallique (16), la zone semiconductrice (24) associée au conducteur (26) correspondant déterminant ainsi une surface élémentaire de détection du photodétecteur.

摘要翻译： 该光电检测器包括：掺杂半导体层（12）; 布置在半导体层（12）下方的反射层（22）; ■金属结构布置在半导体层（12）和具有由表面等离子体模式的谐振器激励所述半导体层（12）形成（16）上，■形成在多个半导体区域（24） 半导体层（12）并具有与其掺杂相反的掺杂; 和■用于通过光电检测器传送自所述反射层（22），直到至少半导体区域（24），并从该金属结构（16）电绝缘的每个半导体区（24），导体（26），该半导体区 （24），从而确定用于检测光电检测器的基本表面。

公开(公告)号：EP2432033B1

公开(公告)日：2019-11-27

申请号：EP11306079.2

申请日：2011-08-29

申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES

发明人： Gravrand, Olivier ,  Baylet, Jacques

IPC分类号： H01L31/101

公开(公告)号：EP2339647A1

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：EP10306305.3

申请日：2010-11-26

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： Gravrand, Olivier ,  Destefanis, Gérard ,  Le Perchec, Jérôme

IPC分类号： H01L31/103

CPC分类号： H01L31/1032 ,  G01J5/0853 ,  G01J5/10 ,  G01J5/20 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/1465 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/03529 ,  Y02E10/50

摘要： Ce photodétecteur apte à détecter un rayonnement électromagnétique comprend :
■ une couche semi-conductrice dopée (12) d'absorption dudit rayonnement apte à transformer ledit rayonnement en porteurs de charge ;
■ une couche réflectrice (22) du rayonnement incident non absorbé par la couche semi-conductrice (12) en direction de cette dernière, agencée sous la couche semi-conductrice (12); et
■ une structure métallique (16) agencée sur la couche semi-conductrice (12), et formant avec la couche semi-conductrice (12) un résonateur par excitation d'un mode plasmon de surface de manière à concentrer le rayonnement électromagnétique incident sur la structure métallique (16) dans des zones de concentration de champ de la couche semi-conductrice (12).

Des zones semi-conductrices de collecte (24) des porteurs de charge, de dopage opposé au dopage de la couche semi-conductrice (12), sont formées dans ladite couche semi-conductrice (12) et présentent une topologie complémentaire de celle des zones de concentration de champ.

摘要翻译： 光电检测器（10）具有放置在掺杂半导体吸收层（12）上的金属结构（16），例如。 p掺杂半导体层。 该结构形成表面等离子体激元模式的谐振器与吸收层，以将入射电磁辐射集中在吸收层的场浓集区域中的结构上，其中用于收集电荷载流子的半导体区域（24）与掺杂的掺杂相反地掺杂 层。 半导体区形成在层中，并且包括补充浓度区的拓扑的拓扑。