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EP2432034A3 Détecteur bispectral multicouche à photodiodes et procédé de fabrication d'un tel détecteur 有权
双频多层检测器的光电二极管，和制造方法，用于这样的检测器

Détecteur bispectral multicouche à photodiodes et procédé de fabrication d'un tel détecteur
摘要：
Détecteur bispectral comportant :
■ des couches semi-conductrices supérieure (18) et inférieure (14) d'un premier type de conductivité pour l'absorption de premier et second spectres, séparées par une couche intermédiaire (16) formant barrière ;
■ des zones semi-conductrices (44) d'un second type de conductivité, implantées dans les couches supérieure (18) et inférieure (14), et implantées chacune au moins partiellement dans le fond d'un évidement (22) traversant les couches supérieure (18) et intermédiaire (16); et
■ des éléments conducteurs (28,30,32,34) connectés aux zones semi-conductrices (44).
Au moins la partie de chaque évidement (22) traversant la couche supérieure (18) est séparée de cette dernière par une couche écran (44) semi-conductrice :
■ dont la concentration en dopants du second type de conductivité est supérieure à 10 17 cm -3 ; et
■ dont l'épaisseur est choisie en fonction de ladite concentration de manière à être supérieure à la longueur de diffusion des porteurs minoritaires dans la couche écran.
摘要（英）：

bispectral detector comprising:
■ upper semiconductor layers (18) and lower (14) of a first conductivity type for absorbing the first and second spectra, separated by an intermediate layer (16) barrier;
■ of semiconductor regions (44) of a second conductivity type located in the upper (18) and lower (14) and each located at least partially in the base of a recess (22) passing through the layers upper (18) and intermediate (16); and
■ conductive elements (28,30,32,34) connected to the semiconductor regions (44). At least the portion of each recess (22) passing through the upper layer (18) is separated therefrom by a barrier layer (44) semiconductor:
■ which the dopant concentration of the second conductivity type is greater than 10 17 cm -3; and
■ whose thickness is chosen according to said concentration so as to be greater than the diffusion length of minority carriers in the barrier layer.

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00）
H01L31/08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31/10 ..特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管
H01L31/101 ...对红外、可见或紫外辐射敏感的器件
H01L31/11 ....以两个势垒或面垒为特征的，如双极光晶体管
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