Invention Publication
EP2469290A3 Strahlungsrichtungssensor und Verfahren zur Ermittlung des Einfallswinkels einer Strahlungsquelle
审中-公开
用于确定辐射源的入射辐射角方向传感器和方法
- Patent Title: Strahlungsrichtungssensor und Verfahren zur Ermittlung des Einfallswinkels einer Strahlungsquelle
- Patent Title (English): Beam direction sensor and method for determining the angle of incidence of a beam source
- Patent Title (中): 用于确定辐射源的入射辐射角方向传感器和方法
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Application No.: EP11194849.3Application Date: 2011-12-21
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Publication No.: EP2469290A3Publication Date: 2013-07-03
- Inventor: Busse, Erik , Prinz von Hessen, Wilhelm
- Applicant: Silicon Micro Sensors GmbH
- Applicant Address: Königsbrücker Straße 96 01099 Dresden DE
- Assignee: Silicon Micro Sensors GmbH
- Current Assignee: Silicon Micro Sensors GmbH
- Current Assignee Address: Königsbrücker Straße 96 01099 Dresden DE
- Agency: Lippert, Stachow & Partner
- Priority: DE102010064140 20101223
- Main IPC: G01S3/784
- IPC: G01S3/784 ; H01L25/00 ; G01S3/786
Abstract:
Die Erfindung betrifft einen Strahlungsrichtungssensor 1 sowie ein entsprechendes Verfahren zur Bestimmung des Einfallswinkels einer Strahlungsquelle. Ein dafür geeigneter Strahlungsrichtungssensor 1 weist in einer Halbleiterschicht 6 eine Diodenanordnung 5 von Avalanche-Fotodioden 4 und eine anwendungsspezifische, integrierte Schaltung, eine Distanzschicht 8, eine darauf befindliche Blendenstruktur 9 sowie Mittel zur elektrischen Anbindung des Strahlungsrichtungssensors 1 auf, wobei diese direkt übereinanderliegenden Schichten und Strukturen in Ihrer Form, Größe bzw. Dicke aufeinander abgestimmt sind. Ein entsprechendes Mess- und Auswerteverfahren wird angegeben.
Public/Granted literature
- EP2469290A2 Strahlungsrichtungssensor und Verfahren zur Ermittlung des Einfallswinkels einer Strahlungsquelle Public/Granted day:2012-06-27
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