发明公开
- 专利标题： SOLDERING PROCESS USING ELECTRODEPOSITED INDIUM AND/OR GALLIUM, AND ARTICLE COMPRISING AN INTERMEDIATE LAYER WITH INDIUM AND/OR GALLIUM
- 专利标题（中）： 硬钎焊方法电解铟和/或镓和物品用中间层的铟和/或镓
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申请号： EP10768797.2申请日： 2010-09-08
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公开(公告)号： EP2475496A1公开(公告)日： 2012-07-18
- 发明人: SEDDON, Kenneth , SRINIVASEN, Geetha , WILSON, Anthony
- 申请人： Astron Advanced Materials Limited
- 申请人地址： 2 Newlands Way Broadstone, Dorset BH18 9JH GB
- 专利权人： Astron Advanced Materials Limited
- 当前专利权人： Astron Advanced Materials Limited
- 当前专利权人地址： 2 Newlands Way Broadstone, Dorset BH18 9JH GB
- 代理机构： Hamer, Christopher K.
- 优先权： GB0915669 20090908
- 国际公布： WO2011030150 20110317
- 主分类号： B23K35/26
- IPC分类号： B23K35/26 ; C25D3/48 ; C25D3/54 ; C25D3/66
摘要：
The present invention relates to a low temperature process for producing and joining metal substrates using an intermediate layer comprising indium or gallium, wherein the indium or gallium layer is formed by electrodeposition from an ionic liquid comprising an indium or gallium salt.
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