发明公开
EP2487765A4 GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND METHOD FOR PREPARING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT
审中-公开
III族氮化物半导体激光元件及其制造方法III族氮化物半导体激光元件
- 专利标题： GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND METHOD FOR PREPARING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT
- 专利标题（中）： III族氮化物半导体激光元件及其制造方法III族氮化物半导体激光元件
-
申请号： EP10820602申请日： 2010-09-29
-
公开(公告)号： EP2487765A4公开(公告)日： 2014-12-31
- 发明人: YOSHIZUMI YUSUKE , ENYA YOHEI , KYONO TAKASHI , ADACHI MASAHIRO , TOKUYAMA SHINJI , SUMITOMO TAKAMICHI , UENO MASAKI , IKEGAMI TAKATOSHI , KATAYAMA KOJI , NAKAMURA TAKAO
- 申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
- 专利权人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
- 当前专利权人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
- 优先权： JP2009228894 2009-09-30
- 主分类号： H01S5/343
- IPC分类号： H01S5/343 ; H01S5/028 ; H01S5/22
信息查询
