专利检索 ap:("SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES") AND inv:"TOKUYAMA SHINJI" 第 1 页

1.

发明公开
NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT 审中-公开
标题翻译：发光器件NITRIDE SEMICONDUCTOR BASIS

公开(公告)号：EP2455989A4

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：EP10799702

申请日：2010-06-18

申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES

发明人： KYONO TAKASHI , ENYA YOHEI , YOSHIZUMI YUSUKE , AKITA KATSUSHI , UENO MASAKI , SUMITOMO TAKAMICHI , ADACHI MASAHIRO , TOKUYAMA SHINJI

IPC分类号： H01L33/32 , H01S5/343

CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/3404

2.

发明公开
SEMICONDUCTOR ELEMENT AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR ELEMENT 审中-公开
标题翻译：半导体元件及其制造方法，半导体元件

公开(公告)号：EP2528118A4

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：EP10843110

申请日：2010-11-15

申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES

发明人： TOKUYAMA SHINJI , ADACHI MASAHIRO , KYONO TAKASHI , SAITO YOSHIHIRO

IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/16 , H01L33/36 , H01L33/40

CPC分类号： H01L33/40 , H01L33/16 , H01L33/32

3.

发明公开
GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT, METHOD FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT, AND EPITAXIAL SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译： III族氮化物半导体激光元件，其制造方法III族氮化物半导体激光元件和外延基板

公开(公告)号：EP2518840A4

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：EP10839085

申请日：2010-11-11

申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES

发明人： YOSHIZUMI YUSUKE , ENYA YOHEI , KYONO TAKASHI , SUMITOMO TAKAMICHI , SAGA NOBUHIRO , ADACHI MASAHIRO , SUMIYOSHI KAZUHIDE , TOKUYAMA SHINJI , TAKAGI SHIMPEI , IKEGAMI TAKATOSHI , UENO MASAKI , KATAYAMA KOJI

IPC分类号： H01S5/343

CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/2201 , H01S5/3202

4.

发明公开
GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR OPTICAL ELEMENT 审中-公开
标题翻译：光集团III氮化物半导体元件

公开(公告)号：EP2472606A4

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：EP10781399

申请日：2010-02-26

申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES

发明人： UENO MASAKI , YOSHIZUMI YUSUKE , ENYA YOHEI , KYONO TAKASHI , AKITA KATSUSHI , SUMITOMO TAKAMICHI , ADACHI MASAHIRO , TOKUYAMA SHINJI

IPC分类号： H01L33/32 , H01S5/343

CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01S5/3202

5.

发明公开
GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND METHOD FOR PREPARING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT 审中-公开
标题翻译： III族氮化物半导体激光元件及其制造方法III族氮化物半导体激光元件

公开(公告)号：EP2487765A4

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：EP10820602

申请日：2010-09-29

申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES

发明人： YOSHIZUMI YUSUKE , ENYA YOHEI , KYONO TAKASHI , ADACHI MASAHIRO , TOKUYAMA SHINJI , SUMITOMO TAKAMICHI , UENO MASAKI , IKEGAMI TAKATOSHI , KATAYAMA KOJI , NAKAMURA TAKAO

IPC分类号： H01S5/343 , H01S5/028 , H01S5/22

CPC分类号： H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0287 , H01S5/1085 , H01S5/16 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S2301/14

6.

发明公开
GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT 审中-公开
标题翻译： III族氮化物半导体部件

公开(公告)号：EP2528117A4

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：EP10843086

申请日：2010-09-22

申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES

发明人： TOKUYAMA SHINJI , UENO MASAKI , ADACHI MASAHIRO , KYONO TAKASHI , SUMITOMO TAKAMICHI , KATAYAMA KOJI , SAITO YOSHIHIRO

IPC分类号： H01L33/32 , H01L21/28 , H01L29/45 , H01L33/14 , H01L33/40

CPC分类号： H01L21/28575 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/32 , H01L33/40