CHEMICAL VAPOR DEPOSITION FOR AN INTERIOR OF A HOLLOW ARTICLE WITH HIGH ASPECT RATIO

发明公开

EP2513354A4 CHEMICAL VAPOR DEPOSITION FOR AN INTERIOR OF A HOLLOW ARTICLE WITH HIGH ASPECT RATIO 审中-公开

标题翻译：化学气相沉积，内部的中空制品宽高比HIGH

专利标题： CHEMICAL VAPOR DEPOSITION FOR AN INTERIOR OF A HOLLOW ARTICLE WITH HIGH ASPECT RATIO
专利标题（中）： 化学气相沉积，内部的中空制品宽高比HIGH
申请号： EP10838345

申请日： 2010-12-20
公开(公告)号： EP2513354A4

公开(公告)日： 2016-02-10
发明人: UPADHYAYA DEEPAK , BOINAPALLY KARTHIK , BOARDMAN WILLIAM J , MAMOODY MATTHEW , CASSERLY THOMAS B , HAZARIKA PANKAJ JYOTI , DOAN DUC
申请人： SUB ONE TECHNOLOGY INC
专利权人： SUB ONE TECHNOLOGY INC
当前专利权人： SUB ONE TECHNOLOGY INC
优先权： US28817209 2009-12-18; US28819309 2009-12-18; US28817809 2009-12-18; US28818509 2009-12-18; US37065910 2010-08-04
主分类号： C23C16/00
IPC分类号： C23C16/00 ; C23C16/27 ; C23C16/455 ; H01J37/32

信息查询

Global Dossier Espacenet

IPC分类:

C	化学；冶金
C23	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）
C23C16/00	通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C14/00）