发明公开
EP2543119A4 SEMI-POLAR III-NITRIDE OPTOELECTRONIC DEVICES ON M-PLANE SUBSTRATES WITH MISCUTS LESS THAN +/-15 DEGREES IN THE C-DIRECTION
审中-公开
SEMI POLAR OPTO ELECTRONIC III族氮化物器件的M-PLANE SUBSTRATES COUPAGES小于15度的C方向
- 专利标题： SEMI-POLAR III-NITRIDE OPTOELECTRONIC DEVICES ON M-PLANE SUBSTRATES WITH MISCUTS LESS THAN +/-15 DEGREES IN THE C-DIRECTION
- 专利标题（中）： SEMI POLAR OPTO ELECTRONIC III族氮化物器件的M-PLANE SUBSTRATES COUPAGES小于15度的C方向
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申请号： EP11751456申请日： 2011-03-04
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公开(公告)号： EP2543119A4公开(公告)日： 2015-08-12
- 发明人: HSU PO SHAN , KELCHNER KATHRYN M , FARRELL ROBERT M , HAEGER DANIEL A , OHTA HIROAKI , TYAGI ANURAG , NAKAMURA SHUJI , DENBAARS STEVEN P , SPECK JAMES S
- 申请人： UNIV CALIFORNIA
- 专利权人： UNIV CALIFORNIA
- 当前专利权人： UNIV CALIFORNIA
- 优先权： US31063810 2010-03-04
- 主分类号： H01S5/00
- IPC分类号： H01S5/00 ; B82Y20/00 ; H01L21/02 ; H01S5/20 ; H01S5/22 ; H01S5/30 ; H01S5/32 ; H01S5/34 ; H01S5/343
摘要：
An optoelectronic device grown on a miscut of GaN, wherein the miscut comprises a semi-polar GaN crystal plane (of the GaN) miscut x degrees from an m-plane of the GaN and in a c-direction of the GaN, where −15
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