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发明公开
EP2589679A1 Procédé de synthèse d'un feuillet de graphène sur un siliciure de platine, structures obtenues par ce procédé et leurs utilisations 有权
用于在硅化铂的图片的合成过程中，通过该方法和它们的用途而获得的结构

Procédé de synthèse d'un feuillet de graphène sur un siliciure de platine, structures obtenues par ce procédé et leurs utilisations
摘要：
L'invention concerne un procédé permettant de synthétiser un feuillet de graphène sur un siliciure de platine, ce siliciure de platine se présentant sous la forme d'une couche ou d'une pluralité de plots.
Ce procédé comprend :
a) la réalisation d'un empilement par (i) dépôt d'une couche C1 d'un matériau barrière de diffusion sur un substrat ; (ii) dépôt d'une couche C2 d'un matériau carboné sur la couche C1, ledit matériau carboné pouvant comprendre du silicium ; (iii) dépôt d'une couche C3 de platine sur la couche C2 ; (iv) dépôt d'une couche C4 d'un matériau de formule Si a C b H c sur la couche C3 lorsque le matériau carboné de la couche C2 est exempt de silicium ; et
b) le traitement thermique de l'empilement obtenu à l'étape a).
Elle se rapporte également aux structures obtenues par ce procédé ainsi qu'aux utilisations de ces structures.
Applications : fabrication de dispositifs micro- et nanoélectroniques, de dispositifs micro-et nanoélectromécaniques, etc.
摘要（中）：

合成上的硅化铂的石墨烯片材（15），包括通过在衬底上沉积扩散阻挡层的材料层（C1）（12）（11）的层上沉积的碳质材料构成的层（C2）形成堆叠 （C1）的层（C2）上沉积铂层（C3）（14）和任选的层（C3）上沉积材料的层（C4）和热处理该叠层，其中：所述碳质材料 包括硅; 和存在的铂原子的数目的在层（C3）存在的硅原子的在层（C2）或（C4）比率和数量是> = 2上式的硅化铂合成石墨烯片（15）（铂X的Si ）包括通过在衬底上沉积扩散阻挡层的材料层（C1）（12）形成层叠（11）的层（C1）沉积层上沉积的碳质材料构成的层（C2）（C3） （14）铂层上（C2）和任选沉积该层（C3）上具有式（硅的aC BH c）中的结构的材料的层（C4），和热处理该叠层，其中：所述碳质 包括硅树脂材料; 和存在的铂原子的数目的在层中（C3）在层（C2）的比率和存在的硅原子的数目或层（C4）是> = 2×> = 2; 一个：正数; 和b：零或正数。 一个独立的claimsoft包含用于一种结构，包括扩散阻挡材料，所述硅化铂，硅化物，其中存在于彼此间隔开的层或垫的形式的衬底，层（C1），和石墨烯片。

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