发明公开
EP2600395A4 PRECURSOR COMPOSITION FOR FORMING AMORPHOUS METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER, AMORPHOUS METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
有权
FOR的形成非晶金属氧化物半导体层，非晶金属氧化物半导体层，方法的前组合物用于制作半导体器件，
- 专利标题： PRECURSOR COMPOSITION FOR FORMING AMORPHOUS METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER, AMORPHOUS METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
- 专利标题（中）： FOR的形成非晶金属氧化物半导体层，非晶金属氧化物半导体层，方法的前组合物用于制作半导体器件，
-
申请号： EP11812474申请日： 2011-07-26
-
公开(公告)号： EP2600395A4公开(公告)日： 2016-05-25
- 发明人: HIROI YOSHIOMI , MAEDA SHINICHI
- 申请人： NISSAN CHEMICAL IND LTD
- 专利权人： NISSAN CHEMICAL IND LTD
- 当前专利权人： NISSAN CHEMICAL IND LTD
- 优先权： JP2010166778 2010-07-26
- 主分类号： H01L21/368
- IPC分类号： H01L21/368 ; H01L29/786
摘要：
The invention provides a precursor composition for forming an amorphous metal oxide semiconductor layer, containing a metal salt, a primary amide, and a water-based solution. An amorphous metal oxide semiconductor layer is formed by use of the composition.
信息查询
IPC分类:
