发明公开
- 专利标题： SAPPHIRE INGOT GROWER
- 专利标题（中）： 手段选育SAPHIRROHBLOCKS的
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申请号： EP11841249.3申请日： 2011-11-09
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公开(公告)号： EP2640875A2公开(公告)日： 2013-09-25
- 发明人: LEE, Sang Hoon , LEE, Jae Hun , KIM, Soo Yul , OH, Hyun Jung
- 申请人： LG Siltron Inc.
- 申请人地址： 274, Imsu-dong Gumi-si Gyeongbuk 730-350 KR
- 专利权人： LG Siltron Inc.
- 当前专利权人： LG Siltron Inc.
- 当前专利权人地址： 274, Imsu-dong Gumi-si Gyeongbuk 730-350 KR
- 代理机构： Bauer Vorberg Kayser Patentanwälte
- 优先权： KR20100113238 20101115
- 国际公布： WO2012067372 20120524
- 主分类号： C30B29/20
- IPC分类号： C30B29/20 ; C30B9/00 ; C30B35/00
摘要：
Provided is a sapphire ingot grower. The sapphire ingot grower includes a chamber, a crucible disposed in the chamber to contain alumina melt, a heater disposed outside the crucible to heat the crucible, and a heat supply unit disposed over an ingot growing within the crucible to apply heat to the ingot.
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