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发明公开
EP2650902A3 Procédé de correction des effets de proximité électronique utilisant des fonctions de diffusion de type voigt 审中-公开
使用Voigt型广播功能校正电子邻近效应的方法

  • 专利标题： Procédé de correction des effets de proximité électronique utilisant des fonctions de diffusion de type voigt
  • 专利标题（英）： Method for correcting electronic proximity effects using Voigt scattering functions
  • 专利标题（中）： 使用Voigt型广播功能校正电子邻近效应的方法
  • 申请号： EP13163244.0
    申请日： 2013-04-11
  • 公开(公告)号： EP2650902A3
    公开(公告)日： 2017-06-14
  • 发明人: Tortai, Jean-Hervé , Schiavone, Patrick , Figuerio, Thiago , Jedidi, Nader
  • 申请人： Aselta Nanographics
  • 申请人地址： 7, Parvis Louis Neel - Minatec Bat. 52 de Haute Technologie 38000 Grenoble FR
  • 专利权人： Aselta Nanographics
  • 当前专利权人： Aselta Nanographics
  • 当前专利权人地址： 7, Parvis Louis Neel - Minatec Bat. 52 de Haute Technologie 38000 Grenoble FR
  • 代理机构： Nguyen Van Yen, Christian
  • 优先权： FR1253389 20120412
  • 主分类号： H01J37/22
  • IPC分类号： H01J37/22 ;  H01J37/317
Procédé de correction des effets de proximité électronique utilisant des fonctions de diffusion de type voigt
摘要：
L'invention s'applique à un procédé de projection d'un faisceau électronique utilisé notamment en lithographie par écriture directe ou indirecte ainsi qu'en microscopie électronique. Notamment pour les dimensions critiques ou résolutions inférieures à 50 nm, les effets de proximité créés par la diffusion vers l'avant et vers l'arrière des électrons du faisceau en interaction avec la cible doivent être corrigés. On utilise traditionnellement pour ce faire la convolution d'une fonction d'étalement de point avec la géométrie de la cible. Dans l'art antérieur, ladite fonction d'étalement de point utilise des lois de distribution gaussiennes. Selon l'invention, au moins une des composantes de la fonction d'étalement de point est une combinaison linéaire de fonctions de Voigt et/ou de fonctions approchant des fonctions de Voigt, telles que les fonctions de Pearson VII. Dans certains modes de réalisation, certaines des fonctions sont centrées sur les pics de diffusion du rayonnement vers l'arrière.
摘要（中）：

本发明适用于投射特别用于直接或间接写入光刻以及电子显微镜中的电子束的方法。 特别是对于低于50nm的关键尺寸或分辨率，必须校正由与靶相互作用的束电子的前向和后向散射产生的邻近效应。 点扩散函数与目标几何的卷积传统上用于此目的。 在现有技术中，所述点扩展函数使用高斯分布法则。 根据本发明，点扩展函数的至少一个分量是Voigt函数和/或接近Voigt函数的函数的线性组合，例如Pearson VII的函数。 在一些实施例中，一些功能集中在后向散射峰值。

摘要（英）：

The invention applies to a method of spraying an electron beam lithography used include direct and indirect writing, as well as electron microscopy. Especially for critical or resolutions smaller than 50 nm, proximity effects created by the forward scattering and backward electron beam interacting with the target must be corrected. traditionally used to do the convolution of a point spread function with the target geometry. In the prior art, said point spread function uses the laws of Gaussian distribution. According to the invention, at least one component of the point spread function is a linear combination of functions Voigt and / or function approaching Voigt functions, such as functions of Pearson VII. In some embodiments, some of the functions are centered on the radiation distribution peaks backwards.

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