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    Method of applying vertex based corrections to a semiconductor design
    1.
    发明公开
    Method of applying vertex based corrections to a semiconductor design 审中-公开
    Verfahren zur Anwendung von Vertex-basierten Korrekturen a einem Halbleiterentwurf

    公开(公告)号：EP3037878A1

    公开(公告)日：2016-06-29

    申请号：EP14307169.4

    申请日：2014-12-23

    申请人： Aselta Nanographics

    发明人： Quaglio, Thomas ,  Millequant, Mathieu ,  Tiphine, Charles

    IPC分类号： G03F1/20 ,  G03F1/36 ,  G03F7/20

    摘要： The invention discloses an improved method of geometry corrections to be applied to properly transfer semiconductor designs on a wafer or a mask in nanometer scale processes. In contrast with some prior art techniques, geometry corrections and possibly dose corrections are applied before fracturing. Unlike edge based corrections, where the edges are displaced in parallel, the displacements applied to generated geometry corrections according to the invention do not preserve parallelism of the edges, which is specifically well suited for free form designs. A seed design is generated from the target design. Vertices connecting segments are placed along the seed design contour. Correction sites are placed on the segments. Displacement vectors are applied to the vertices. A simulated contour is generated and compared to the contour of the target design. The process is iterated until a match criteria between simulated and target design (or another stop criteria) is reached.

    摘要翻译： 本发明公开了一种改进的几何校正方法，其应用于在纳米级工艺中在晶片或掩模上适当地转移半导体设计。 与一些现有技术相反，在压裂之前应用几何校正和可能的剂量校正。 不同于基于边缘的校正，其中边缘平行移位，根据本发明应用于生成的几何校正的位移不会保留边缘的平行度，这特别适用于自由形式设计。 从目标设计生成种子设计。 连接片段的顶点沿种子设计轮廓放置。 校正站点放置在段上。 位移向量应用于顶点。 生成模拟轮廓，并与目标设计的轮廓进行比较。 迭代该过程，直到达到模拟和目标设计（或另一个停止标准）之间的匹配标准。

    FREE FORM FRACTURING METHOD FOR ELECTRONIC OR OPTICAL LITHOGRAPHY
    2.
    发明公开
    FREE FORM FRACTURING METHOD FOR ELECTRONIC OR OPTICAL LITHOGRAPHY 审中-公开
    VERFAHREN ZUR FRAKTURIERUNG FREIER FORMENFÜRELEKTRONISCHE ODER OPTISCHE LITHOGRAFIE

    公开(公告)号：EP2959496A1

    公开(公告)日：2015-12-30

    申请号：EP13706532.2

    申请日：2013-02-27

    申请人： Aselta Nanographics

    发明人： TIPHINE, Charles ,  QUAGLIO, Thomas ,  MARTIN, Luc

    IPC分类号： H01J37/302 ,  H01J37/317

    CPC分类号： G06F17/5081 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G06F17/50 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/31764 ,  H01J2237/31776

    摘要： The invention discloses a computer implemented method of fracturing a surface into elementary features wherein the desired pattern has a rectilinear or curvilinear form. Depending upon the desired pattern, a first fracturing will be performed of a non-overlapping or an overlapping type. If the desired pattern is resolution critical, it will be advantageous to perform a second fracturing step using eRIFs. These eRIFs will be positioned either on the edges or on the medial axis or skeleton of the desired pattern. The invention further discloses method steps to define the position and shape of the elementary features used for the first and second fracturing steps.

    摘要翻译： 本发明公开了一种将表面压裂成基本特征的计算机实现方法，其中期望的图案具有直线或曲线形式。 根据期望的图案，将执行不重叠或重叠类型的第一压裂。 如果期望的模式是分辨率关键的，则使用eRIF执行第二压裂步骤将是有利的。 这些eRIF将位于所需图案的边缘或中轴或骨架上。 本发明还公开了用于限定用于第一和第二压裂步骤的基本特征的位置和形状的方法步骤。

    Procédé de correction des effets de proximité électronique utilisant des fonctions de diffusion decentrees
    3.
    发明公开
    Procédé de correction des effets de proximité électronique utilisant des fonctions de diffusion decentrees 有权
    一种用于通过使用非中心扩散函数校正电子邻近效应的方法

    公开(公告)号：EP2560187A1

    公开(公告)日：2013-02-20

    申请号：EP12179945.6

    申请日：2012-08-09

    申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  Aselta Nanographics

    发明人： Schiavone, Patrick ,  Figueiro, Thiago

    IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/22

    CPC分类号： H01J37/3174 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/2061 ,  H01J3/12 ,  H01J37/222 ,  H01J2229/563 ,  H01J2237/226 ,  H01J2237/31769

    摘要： L'invention s'applique à un procédé de projection d'un faisceau électronique (100) utilisé notamment en lithographie par écriture directe ou indirecte ainsi qu'en microscopie électronique. Notamment pour les dimensions critiques ou résolutions inférieures à 50 nm, les effets de proximité créés par la diffusion vers l'avant (150) et vers l'arrière (160) des électrons du faisceau en interaction avec la cible (110) doivent être corrigés. On utilise traditionnellement pour ce faire la convolution d'une fonction d'étalement de point avec la géométrie de la cible. Dans l'art antérieur, ladite fonction d'étalement de point est centrée sur le faisceau et utilise des lois de distribution gaussiennes ou exponentielle. Selon l'invention, au moins une des composantes de la fonction d'étalement de point n'est pas centrée sur le faisceau, la fonction d'étalement de point comprend donc au moins une fonction dont la valeur maximale n'est pas localisée au centre du faisceau. Préférentiellement, elle est centrée sur le pic de diffusion vers l'arrière. Avantageusement, la fonction d'étalement de point utilise des lois de distribution gamma.

    摘要翻译： 该方法通过计算点扩散函数涉及一个电子束（100）的向前和向后散射的校正效果即 的高斯和伽马函数，其中，点扩展函数包括：函数的线性组合，即 伽马分布函数，它的一个最大值不位于电子束和位于电子束的后方散射峰另一个最大值的中心部分，并与位于电子的中心部分的最大值的另一种功能 光束来建模前向散射。 因此独立权利要求中包括了以下内容：（1）一种非临时计算机可读介质，包括一组电子光刻系统（3）的指令，以模拟或正向正确效应和后向散射的电子束（2）的 系统用于模拟电子显微镜系统电子光刻（4）。

    Procédé de correction des effets de proximité électronique utilisant des fonctions de diffusion de type voigt
    7.
    发明公开
    Procédé de correction des effets de proximité électronique utilisant des fonctions de diffusion de type voigt 审中-公开
    使用Voigt型广播功能校正电子邻近效应的方法

    公开(公告)号：EP2650902A3

    公开(公告)日：2017-06-14

    申请号：EP13163244.0

    申请日：2013-04-11

    申请人： Aselta Nanographics

    发明人： Tortai, Jean-Hervé ,  Schiavone, Patrick ,  Figuerio, Thiago ,  Jedidi, Nader

    IPC分类号： H01J37/22 ,  H01J37/317

    摘要： L'invention s'applique à un procédé de projection d'un faisceau électronique utilisé notamment en lithographie par écriture directe ou indirecte ainsi qu'en microscopie électronique. Notamment pour les dimensions critiques ou résolutions inférieures à 50 nm, les effets de proximité créés par la diffusion vers l'avant et vers l'arrière des électrons du faisceau en interaction avec la cible doivent être corrigés. On utilise traditionnellement pour ce faire la convolution d'une fonction d'étalement de point avec la géométrie de la cible. Dans l'art antérieur, ladite fonction d'étalement de point utilise des lois de distribution gaussiennes. Selon l'invention, au moins une des composantes de la fonction d'étalement de point est une combinaison linéaire de fonctions de Voigt et/ou de fonctions approchant des fonctions de Voigt, telles que les fonctions de Pearson VII. Dans certains modes de réalisation, certaines des fonctions sont centrées sur les pics de diffusion du rayonnement vers l'arrière.

    摘要翻译： 本发明适用于投射特别用于直接或间接写入光刻以及电子显微镜中的电子束的方法。 特别是对于低于50nm的关键尺寸或分辨率，必须校正由与靶相互作用的束电子的前向和后向散射产生的邻近效应。 点扩散函数与目标几何的卷积传统上用于此目的。 在现有技术中，所述点扩展函数使用高斯分布法则。 根据本发明，点扩展函数的至少一个分量是Voigt函数和/或接近Voigt函数的函数的线性组合，例如Pearson VII的函数。 在一些实施例中，一些功能集中在后向散射峰值。

    Method for calculating the metrics of an ic manufacturing process
    8.
    发明公开
    Method for calculating the metrics of an ic manufacturing process 审中-公开
    Verfahren zur Berechnung der Metrikfürein IC-Herstellungsverfahren

    公开(公告)号：EP2952963A1

    公开(公告)日：2015-12-09

    申请号：EP14305834.5

    申请日：2014-06-03

    申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  Aselta Nanographics

    发明人： Saib, Mohamed ,  Fay, Aurélien ,  Schiavone, Patrick ,  Figueiro, Thiago

    IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F1/36 ,  G03F1/80 ,  G06F17/50 ,  H01J37/317

    CPC分类号： G03F7/705 ,  G03F1/36 ,  G03F1/80 ,  G03F7/70441 ,  G06F17/5081 ,  G06F2217/12 ,  H01J37/3174 ,  H01J37/3178 ,  Y02P90/265

    摘要： The invention discloses a method for calculating the parameters of a resist model of an IC manufacturing process. According to an embodiment of the method of the invention, a function representative of the target design convoluted throughout the whole target design with a kernel function compounded with a deformation function with a shift angle. Advantageously, the deformation function is replaced by its Fourier series development, the order of which is selected so that the product of convolution is invariant through rotations within a tolerance of the corrections to be applied to the target design. Alternatively, the product of convolution may be decomposed into basic kernel functions selected varying by angles determined so that a deformation function for a value of the shift angle can be projected onto a couple of basic kernel functions the angles of which are proximate to the shift angle.

    摘要翻译： 本发明公开了一种用于计算IC制造工艺的抗蚀剂模型的参数的方法。 根据本发明的方法的一个实施例，代表目标设计的功能在整个目标设计中卷积，具有与具有移位角的变形函数复合的核函数。 有利地，变形函数由其傅立叶级数展开代替，其顺序被选择为使得卷积积通过在要应用于目标设计的校正的公差内的旋转不变。 或者，卷积的乘积可以被分解为基于所确定的角度而变化的基本核函数，使得可以将位移角的值的变形函数投影到几个基本核函数上，这些基本核函数的角度接近于位移角 。