发明公开
- 专利标题： UNIT FOR LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH OF MONOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE, AND METHOD FOR LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH OF MONOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE
- 专利标题（中）： UNIT FOR液相单晶SiC和方法，用于液相的单晶SiC
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申请号： EP11850694申请日： 2011-06-29
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公开(公告)号： EP2657374A4公开(公告)日： 2014-05-07
- 发明人: TORIMI SATOSHI , NOGAMI SATORU , MATSUMOTO TSUYOSHI
- 申请人： TOYO TANSO CO
- 专利权人： TOYO TANSO CO
- 当前专利权人： TOYO TANSO CO
- 优先权： JP2010288469 2010-12-24; JP2010288472 2010-12-24; JP2010288475 2010-12-24; JP2010288479 2010-12-24
- 主分类号： C30B29/36
- IPC分类号： C30B29/36 ; C30B19/12
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