- 专利标题： METHOD FOR LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH OF MONOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE
-
申请号： EP11851187.2申请日： 2011-06-29
-
公开(公告)号： EP2657376B1公开(公告)日： 2019-04-17
- 发明人: TORIMI, Satoshi , NOGAMI, Satoru , MATSUMOTO, Tsuyoshi
- 申请人： Toyo Tanso Co., Ltd.
- 申请人地址： 5-7-12, Takeshima Nishiyodogawa-ku Osaka-shi Osaka 555-0011 JP
- 专利权人： Toyo Tanso Co., Ltd.
- 当前专利权人： Toyo Tanso Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： 5-7-12, Takeshima Nishiyodogawa-ku Osaka-shi Osaka 555-0011 JP
- 代理机构： Ter Meer Steinmeister & Partner
- 优先权： JP2010288476 20101224
- 国际公布： WO2012086240 20120628
- 主分类号： C30B29/36
- IPC分类号： C30B29/36 ; C30B19/12 ; C30B28/12
公开/授权文献
信息查询
IPC分类:
