- 专利标题： Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelementes auf einem Kupfersubstrat mit dazwischenliegender Isolationsschicht
- 专利标题（英）： Method for producing a semiconductor element on a copper substrate with intermediate insulation layer
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申请号： EP12168291.8申请日： 2012-05-16
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公开(公告)号： EP2665092B1公开(公告)日： 2019-02-27
- 发明人: Bucher, Benno , Stuber, Daniel
- 申请人： Microdul AG
- 申请人地址： Grubenstrasse 9 8045 Zürich CH
- 专利权人： Microdul AG
- 当前专利权人： Microdul AG
- 当前专利权人地址： Grubenstrasse 9 8045 Zürich CH
- 代理机构： Liebetanz, Michael
- 主分类号： H01L23/373
- IPC分类号： H01L23/373 ; H01L33/64
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