发明公开
EP2743976A1 Procédé de fabrication d'une plaquette semiconductrice hybride SOI/massif
审中-公开
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HYBRIDEN HALBLEITERWAFERS SOI / MASSEN
- 专利标题： Procédé de fabrication d'une plaquette semiconductrice hybride SOI/massif
- 专利标题（英）： Process for producing a hybrid semiconductor wafer soi/bulk
- 专利标题（中）： VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HYBRIDEN HALBLEITERWAFERS SOI / MASSEN
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申请号： EP13196969.3申请日： 2013-12-12
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公开(公告)号： EP2743976A1公开(公告)日： 2014-06-18
- 发明人: Fenouillet-Beranger, Claire , Denorme, Stéphane , Loubet, Nicolas , Liu, Qing , Richard, Emmanuel , Perreau, Pierre
- 申请人： STmicroelectronics SA , STMicroelectronics (Crolles 2) SAS , STMicroelectronics, Inc. , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
- 申请人地址： 29, boulevard Romain Rolland 92120 Montrouge FR
- 专利权人： STmicroelectronics SA,STMicroelectronics (Crolles 2) SAS,STMicroelectronics, Inc.,COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
- 当前专利权人： STmicroelectronics SA,STMicroelectronics (Crolles 2) SAS,STMicroelectronics, Inc.,COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
- 当前专利权人地址： 29, boulevard Romain Rolland 92120 Montrouge FR
- 代理机构： Thibon, Laurent
- 优先权： FR1262012 20121213
- 主分类号： H01L21/762
- IPC分类号： H01L21/762
摘要：
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat hybride SOI/massif, comprenant les étapes suivantes :
a) partir d'une plaquette SOI comprenant une couche semiconductrice monocristalline appelée couche SOI (3), sur une couche isolante (2), sur un substrat semiconducteur monocristallin (1) ;
b) déposer sur la couche SOI au moins une couche de masquage (17, 18) et former des ouvertures traversant la couche de masquage, la couche SOI et la couche isolante jusqu'à atteindre le substrat ;
c) faire croître par une alternance répétée d'étapes d'épitaxie sélective et de gravure partielle un matériau semiconducteur (27) ; et
d) graver des tranchées d'isolement entourant lesdites ouvertures remplies de matériau semiconducteur, en empiétant vers l'intérieur sur la périphérie des ouvertures.
a) partir d'une plaquette SOI comprenant une couche semiconductrice monocristalline appelée couche SOI (3), sur une couche isolante (2), sur un substrat semiconducteur monocristallin (1) ;
b) déposer sur la couche SOI au moins une couche de masquage (17, 18) et former des ouvertures traversant la couche de masquage, la couche SOI et la couche isolante jusqu'à atteindre le substrat ;
c) faire croître par une alternance répétée d'étapes d'épitaxie sélective et de gravure partielle un matériau semiconducteur (27) ; et
d) graver des tranchées d'isolement entourant lesdites ouvertures remplies de matériau semiconducteur, en empiétant vers l'intérieur sur la périphérie des ouvertures.
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