- 专利标题： Photoresist underlayer film-forming composition and pattern forming processes
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申请号： EP14171729.8申请日： 2014-06-10
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公开(公告)号： EP2813890B1公开(公告)日： 2018-05-30
- 发明人: Hatakeyama, Jun , Kori, Daisuke , Ogihara, Tsutomu
- 申请人： Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- 申请人地址： 6-1, Ohtemachi 2-chome Chiyoda-ku Tokyo JP
- 专利权人： Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- 当前专利权人： Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： 6-1, Ohtemachi 2-chome Chiyoda-ku Tokyo JP
- 代理机构： Ter Meer Steinmeister & Partner
- 优先权： JP2013122844 20130611
- 主分类号： G03F7/09
- IPC分类号： G03F7/09 ; G03F7/42 ; G03F7/075
摘要：
In lithography, a composition comprising a novolak resin comprising recurring units derived from a naphtholphthalein is used to form a photoresist underlayer film. The underlayer film is strippable in alkaline water, without causing damage to ion-implanted Si substrates or SiO 2 substrates.
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