发明公开
- 专利标题： GALLIUM NITRIDE NANOWIRE BASED ELECTRONICS
- 专利标题（中）： 氮化镓NANO WIRE-BASED ELECTRONICS
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申请号： EP13749940.6申请日： 2013-02-12
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公开(公告)号： EP2815423A2公开(公告)日： 2014-12-24
- 发明人: OHLSSON, Jonas , BJORK, Mikael
- 申请人： QuNano AB
- 申请人地址： Ideon Science Park Scheelevägen 17 223 70 Lund SE
- 专利权人： QuNano AB
- 当前专利权人： QuNano AB
- 当前专利权人地址： Ideon Science Park Scheelevägen 17 223 70 Lund SE
- 代理机构： Neij & Lindberg AB
- 优先权： US201261598563P 20120214
- 国际公布： WO2013121289 20130822
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20 ; B82Y10/00 ; B82Y40/00 ; C30B29/38 ; C30B29/40 ; H01L29/06
摘要：
GaN based nanowires are used to grow high quality, discreet base elements with c-plane top surface for fabrication of various semiconductor devices, such as diodes and transistors for power electronics.
公开/授权文献
- EP2815423B1 GALLIUM NITRIDE NANOWIRE BASED ELECTRONICS 公开/授权日：2017-05-24
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