发明授权
- 专利标题： NONVOLATILE MEMORY PROGRAMMING WITH STRING SELECT TRANSISTOR DIFFUSION REGION VOLTAGE DEPENDENT ON LOCATION OF SELECTED WORD LINE
- 专利标题（中）： 的选定字线相依扩散面积功率为选定的门编程过程中
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申请号： EP12798122.3申请日： 2012-11-27
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公开(公告)号： EP2831883B1公开(公告)日： 2016-04-27
- 发明人: LAI, Chun-Hung , SATO, Shinji , LEE, Shih-Chung , HEMINK, Gerrit Jan
- 申请人： SanDisk Technologies Inc.
- 申请人地址： Two Legacy Town Center 6900 North Dallas Parkway Plano, Texas 75024 US
- 专利权人： SanDisk Technologies Inc.
- 当前专利权人： SanDisk Technologies Inc.
- 当前专利权人地址： Two Legacy Town Center 6900 North Dallas Parkway Plano, Texas 75024 US
- 代理机构： Tothill, John Paul
- 优先权： US201213430494 20120326
- 国际公布： WO2013147936 20131003
- 主分类号： G11C11/56
- IPC分类号： G11C11/56 ; G11C16/04 ; G11C16/10 ; G11C29/02 ; G11C29/12
公开/授权文献
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