发明公开
EP3015888A1 SUBSTRAT PRÉ-STRUCTURÉ POUR LA RÉALISATION DE COMPOSANTS PHOTONIQUES, CIRCUIT PHOTONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉS
有权
预结构化基材生产PHOTO AMERICAN组件,例如光子电路和相应的方法
- 专利标题: SUBSTRAT PRÉ-STRUCTURÉ POUR LA RÉALISATION DE COMPOSANTS PHOTONIQUES, CIRCUIT PHOTONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉS
- 专利标题(英): Pre-structured substrate for producing photonic components, associated photonic circuit and manufacturing method
- 专利标题(中): 预结构化基材生产PHOTO AMERICAN组件,例如光子电路和相应的方法
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申请号: EP15190997.5申请日: 2015-10-22
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公开(公告)号: EP3015888A1公开(公告)日: 2016-05-04
- 发明人: HASSAN, Karim , SCIANCALEPORE, Corrado , DUPREZ, Hélène , BEN-BAKIR, Badhise
- 申请人: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
- 申请人地址: 25, rue Leblanc Bâtiment "le Ponant D" 75015 Paris FR
- 专利权人: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
- 当前专利权人: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
- 当前专利权人地址: 25, rue Leblanc Bâtiment "le Ponant D" 75015 Paris FR
- 代理机构: Brevalex
- 优先权: FR1460386 20141029
- 主分类号: G02B6/30
- IPC分类号: G02B6/30 ; G02B6/12 ; G02B6/124
摘要:
L'invention porte sur un substrat (S) localement pré-structuré pour la réalisation de composants photoniques (Cp1-Cp4), comportant :
- une partie massive en silicium (10) ;
- une première région localisée du substrat, comprenant :
o une couche (11), dite de dissipation thermique, réalisée de manière localisée en surface de la partie massive (10) et formée en un matériau dont l'indice de réfraction est inférieur à celui du silicium ;
o un guide d'ondes (12) sur la couche de dissipation thermique (11) ;
- une deuxième région localisée du substrat, comprenant :
o une couche d'oxyde (13) réalisée de manière localisée en surface de la partie massive (10), l'oxyde présentant une conductivité thermique inférieure à celle du matériau de la couche de dissipation thermique (11) ;
o un guide d'ondes (14) sur la couche d'oxyde.
L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'un tel substrat pré-structuré, ainsi que sur un circuit photonique (Cp) réalisé sur un tel substrat.
- une partie massive en silicium (10) ;
- une première région localisée du substrat, comprenant :
o une couche (11), dite de dissipation thermique, réalisée de manière localisée en surface de la partie massive (10) et formée en un matériau dont l'indice de réfraction est inférieur à celui du silicium ;
o un guide d'ondes (12) sur la couche de dissipation thermique (11) ;
- une deuxième région localisée du substrat, comprenant :
o une couche d'oxyde (13) réalisée de manière localisée en surface de la partie massive (10), l'oxyde présentant une conductivité thermique inférieure à celle du matériau de la couche de dissipation thermique (11) ;
o un guide d'ondes (14) sur la couche d'oxyde.
L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'un tel substrat pré-structuré, ainsi que sur un circuit photonique (Cp) réalisé sur un tel substrat.
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