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    SOURCE LASER À SEMI-CONDUCTEUR
    4.
    发明公开
    SOURCE LASER À SEMI-CONDUCTEUR 审中-公开
    激光源半导体

    公开(公告)号：EP3264541A1

    公开(公告)日：2018-01-03

    申请号：EP17178538.9

    申请日：2017-06-28

    申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES

    发明人： SCIANCALEPORE, Corrado ,  CASALE, Marco

    IPC分类号： H01S5/02 ,  H01S5/024 ,  H01S5/026 ,  H01S5/183 ,  H01S5/50

    CPC分类号： H01S5/021 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/02256 ,  H01S5/0228 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/026 ,  H01S5/042 ,  H01S5/183 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/50

    摘要： Source laser à semi-conducteur comportant :
    - une couche structurée (6) formée sur un substrat (4) en silicium et présentant une face supérieure (14), cette couche structurée comportant :
    • un composant optique passif (20) choisi dans le groupe composé d'un réflecteur optique et d'un guide d'onde, ce composant étant encapsulé dans de la silice ou réalisé sur une couche de silice, et
    • au moins un plot (30) s'étendant depuis une face inférieure, en contact direct avec le substrat en silicium, jusqu'à une face supérieure affleurant la face supérieure de la couche structurée, ce plot étant entièrement réalisé en nitrure de silicium pour former un pont thermique à travers la couche structurée,

    - un amplificateur optique (8) directement collé au-dessus du composant optique passif et en partie sur la face supérieure du plot pour dissiper la chaleur qu'il génère vers le substrat en silicium.

    摘要翻译： 一种半导体激光源，包括： - 在硅衬底（4）上形成并具有上表面（14）的结构化层（6），所述结构化层包括：·无源光学元件（20），选自 其由光学反射器和波导组成，该部件被封装在二氧化硅中或者在二氧化硅层上制成，并且至少一个从下表面延伸的螺柱（30）接触 直接与硅衬底接触，直至与结构化层的上表面齐平的上表面，该焊盘完全由氮化硅制成以形成穿过结构化层的热桥，直接光学放大器（8） 胶粘在无源光学元件上并且部分地在螺柱的上表面上以将其产生的热量散发到硅基板。

    SUBSTRAT PRÉ-STRUCTURÉ POUR LA RÉALISATION DE COMPOSANTS PHOTONIQUES, CIRCUIT PHOTONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉS
    5.
    发明公开
    SUBSTRAT PRÉ-STRUCTURÉ POUR LA RÉALISATION DE COMPOSANTS PHOTONIQUES, CIRCUIT PHOTONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉS 有权
    预结构化基材生产PHOTO AMERICAN组件，例如光子电路和相应的方法

    公开(公告)号：EP3015888A1

    公开(公告)日：2016-05-04

    申请号：EP15190997.5

    申请日：2015-10-22

    申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

    发明人： HASSAN, Karim ,  SCIANCALEPORE, Corrado ,  DUPREZ, Hélène ,  BEN-BAKIR, Badhise

    IPC分类号： G02B6/30 ,  G02B6/12 ,  G02B6/124

    CPC分类号： G02B6/122 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/124 ,  G02B6/30 ,  G02B2006/12061 ,  G02B2006/12104 ,  G02B2006/12121 ,  G02B2006/12135 ,  H01S5/021 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/3031

    摘要： L'invention porte sur un substrat (S) localement pré-structuré pour la réalisation de composants photoniques (Cp1-Cp4), comportant :
    - une partie massive en silicium (10) ;
    - une première région localisée du substrat, comprenant :
    o une couche (11), dite de dissipation thermique, réalisée de manière localisée en surface de la partie massive (10) et formée en un matériau dont l'indice de réfraction est inférieur à celui du silicium ;
    o un guide d'ondes (12) sur la couche de dissipation thermique (11) ;

    - une deuxième région localisée du substrat, comprenant :
    o une couche d'oxyde (13) réalisée de manière localisée en surface de la partie massive (10), l'oxyde présentant une conductivité thermique inférieure à celle du matériau de la couche de dissipation thermique (11) ;
    o un guide d'ondes (14) sur la couche d'oxyde.


    L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'un tel substrat pré-structuré, ainsi que sur un circuit photonique (Cp) réalisé sur un tel substrat.

    摘要翻译： A底本地预构造用于生产包括由硅制成的固体部分光子组件的; 衬底的第一局部区域，包括散热层，在本地化的固体部分的表面上，且由其中的材料的折射率小于硅的的方式生产; 散热层上的波导; 的底物，包括固体部分的表面上以局部方式生成的氧化层上的第二局部区域，具有的热导率小于所述散热层的材料的氧化物; 所述氧化物层上的波导。

    PROCÉDÉ D'AJUSTEMENT DES PROPRIÉTÉS D'UN CIRCUIT PHOTONIQUE PAR IMPLANTATION IONIQUE POST-FABRICATION, GUIDE D'ONDES ET CIRCUIT PHOTONIQUE AINSI AJUSTÉS
    9.
    发明公开
    PROCÉDÉ D'AJUSTEMENT DES PROPRIÉTÉS D'UN CIRCUIT PHOTONIQUE PAR IMPLANTATION IONIQUE POST-FABRICATION, GUIDE D'ONDES ET CIRCUIT PHOTONIQUE AINSI AJUSTÉS 有权
    光子电路通过离子注入后生产，性能的影响适应的过程通过这种方法改编纤维和光子电路

    公开(公告)号：EP3078996A1

    公开(公告)日：2016-10-12

    申请号：EP16164200.4

    申请日：2016-04-07

    申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

    发明人： HASSAN, Karim ,  SCIANCALEPORE, Corrado ,  BEN BAKIR, Badhise ,  MENEZO, Sylvie

    IPC分类号： G02B6/134 ,  G02B6/12

    摘要： L'invention porte sur un procédé d'ajustement des propriétés d'un circuit photonique pour les faire coïncider avec des propriétés attendues, le circuit photonique comportant un guide d'ondes (10) qui comprend une région (20) de propagation de la lumière, caractérisé en ce qu'il comporte une étape de modification de l'indice de réfraction d'au moins une zone de ladite région, ladite étape étant mise en oeuvre au moyen d'une implantation ionique dans l'au moins une zone (21). Elle s'étend à un guide d'ondes dont la région de propagation de la lumière présente au moins une zone à indice de réfraction modifié par implantation ionique dans laquelle la lumière reste confinée, ainsi qu'à un circuit photonique incorporant un tel guide.

    摘要翻译： 一种用于调整寻求thatthey配合预期特性的光子电路的性能的方法，包括波导，其包括光传播区域的光子电路中，提供了。 该方法包括修改所述区域的至少一个区域的折射率的一个步骤，所述步骤由离子注入至少在所述一个区域中执行。 它延伸到一个波导的光传播区域的哪个具有通过离子注入改性的折射率，其中光仍然局限于，以及光子电路并入求导的至少一个区域。