发明授权
EP3062359B1 HALBZEUGDRAHT FÜR EINEN NB3SN-SUPRALEITERDRAHT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES HALBZEUGDRAHTS
有权
HALBZEUGDRAHTFÜREINEN NB3SN-SUPRALEITERDRAHT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES HALBZEUGDRAHTS
- 专利标题： HALBZEUGDRAHT FÜR EINEN NB3SN-SUPRALEITERDRAHT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES HALBZEUGDRAHTS
- 专利标题（英）： Precursor wire for a nb3sn superconducting wire and method for producing the precursor wire
- 专利标题（中）： HALBZEUGDRAHTFÜREINEN NB3SN-SUPRALEITERDRAHT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES HALBZEUGDRAHTS
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申请号： EP16156885.2申请日： 2016-02-23
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公开(公告)号： EP3062359B1公开(公告)日： 2017-08-16
- 发明人: Thoener, Manfred , Sailer, Bernd
- 申请人： Bruker EAS GmbH
- 申请人地址： Ehrichstrasse 10 63450 Hanau DE
- 专利权人： Bruker EAS GmbH
- 当前专利权人： Bruker EAS GmbH
- 当前专利权人地址： Ehrichstrasse 10 63450 Hanau DE
- 代理机构： Kohler Schmid Möbus Patentanwälte
- 优先权： DE102015203305 20150224
- 主分类号： H01L39/24
- IPC分类号： H01L39/24 ; H01B12/10
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