- 专利标题： SURFACE TREATMENT METHOD FOR SIC SUBSTRATES AND SEMICONDUCTOR PRODUCTION METHOD
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申请号： EP15773856.8申请日： 2015-03-10
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公开(公告)号： EP3128535B1公开(公告)日： 2020-06-03
- 发明人: TORIMI, Satoshi , YABUKI, Norihito , NOGAMI, Satoru
- 申请人： Toyo Tanso Co., Ltd.
- 申请人地址： 7-12, Takeshima 5-chome Nishiyodogawa-ku Osaka-shi, Osaka 555-0011 JP
- 专利权人： Toyo Tanso Co., Ltd.
- 当前专利权人： Toyo Tanso Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： 7-12, Takeshima 5-chome Nishiyodogawa-ku Osaka-shi, Osaka 555-0011 JP
- 代理机构： TBK
- 优先权： JP2014074749 20140331
- 国际公布： WO2015151413 20151008
- 主分类号： H01L21/302
- IPC分类号： H01L21/302 ; H01L21/205 ; C30B29/36 ; C30B33/08
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