发明公开
- 专利标题： SKALIERBARE SPANNUNGSQUELLE
- 专利标题（英）： Scalable voltage source
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申请号： EP16001926.1申请日： 2016-09-02
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公开(公告)号： EP3144982A1公开(公告)日： 2017-03-22
- 发明人: Fuhrmann, Daniel , Khorenko, Victor , Guter, Wolfgang
- 申请人： AZUR SPACE Solar Power GmbH
- 申请人地址： Theresienstrasse 2 74072 Heilbronn DE
- 专利权人： AZUR SPACE Solar Power GmbH
- 当前专利权人： AZUR SPACE Solar Power GmbH
- 当前专利权人地址： Theresienstrasse 2 74072 Heilbronn DE
- 代理机构： Koch Müller Patentanwaltsgesellschaft mbH
- 优先权： DE102015012007 20150919
- 主分类号： H01L31/0687
- IPC分类号： H01L31/0687 ; H01L31/0693 ; H01L31/0304 ; H01L31/02
摘要：
Skalierbare Spannungsquelle aufweisend eine Anzahl N zueinander in Serie geschalteten als Halbleiterdioden ausgebildete Teilspannungsquellen, wobei jede der Teilspannungsquellen eine Halbleiterdiode einen p-n Übergang aufweist, und jede Halbleiterdiode eine p-dotierte Absorptionsschicht aufweist, wobei die p-Absorptionsschicht von einer p-dotierten Passivierungsschicht mit einer größeren Bandlücke als die Bandlücke der p-Absorptionsschicht passiviert ist und die Halbleiterdiode eine n-Absorptionsschicht aufweist, wobei die n-Absorptionsschicht von einer n-dotierten Passivierungsschicht mit einer größeren Bandlücke als die Bandlücke der n-Absorptionsschicht passiviert ist, und die Teilquellenspannungen der einzelnen Teilspannungsquellen zueinander einer Abweichung kleiner als 20% aufweisen, und zwischen jeweils zwei aufeinanderfolgenden Teilspannungsquellen eine Tunneldiode ausgebildet ist, wobei die Tunneldiode mehrere Halbleiterschichten mit einer höheren Bandlücke als die Bandlücke der p / n Absorptionsschichten aufweist und die Halbleiterschichten mit der höheren Bandlücke jeweils aus einem Material mit geänderter Stöchiometrie und / oder anderer Elementzusammensetzung als die p / n -Absorptionsschichten der Halbleiterdiode bestehen, und die Teilspannungsquellen und die Tunneldioden zusammen monolithisch integriert sind, und gemeinsam einen ersten Stapel mit einer Oberseite und einer Unterseite ausbilden, und die Anzahl N der Teilspannungsquellen größer gleich zwei ist, und das Licht an der Oberseite auf den Stapel auftrifft und die Größe der Beleuchtungsfläche an der Stapeloberseite im Wesentlichen der Größe der Fläche des Stapels an der Oberseite ist, und der erste Stapel eine Gesamtdicke kleiner als 12µm aufweist, und bei 300 K der erste Stapel eine Quellenspannung von größer als 2,2 Volt aufweist, sofern der erste Stapel mit einem Photonenstrom mit einer bestimmten Wellenlänge bestrahlt ist, und wobei in Lichteinfallsrichtung von der Oberseite des Stapels hin zu der Unterseite des Stapels die Gesamtdicke der p und n -Absorptionsschichten einer Halbleiterdiode von der obersten Diode hin zu der untersten Diode zunimmt.
公开/授权文献
- EP3144982B1 SKALIERBARE SPANNUNGSQUELLE 公开/授权日：2024-05-15
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