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1.发明公开
公开(公告)号：EP4441775A1
公开(公告)日：2024-10-09
申请号：EP22851020.2
申请日：2022-12-23
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/18 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/02002 , H01L21/185
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公开(公告)号：EP3839106B1
公开(公告)日：2024-05-15
申请号：EP20000463.8
申请日：2020-12-11
CPC分类号： C30B29/40 , C30B29/42 , C30B25/16 , H01L21/0262 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02546
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公开(公告)号：EP3686939B1
公开(公告)日：2023-03-01
申请号：EP20000002.4
申请日：2020-01-02
IPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/0304 , H01L31/0216 , H01L31/18
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公开(公告)号：EP3185312B1
公开(公告)日：2023-02-08
申请号：EP16002595.3
申请日：2016-12-06
IPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/0304 , H01L31/041
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公开(公告)号：EP3787045B1
公开(公告)日：2021-08-04
申请号：EP20000295.4
申请日：2020-08-18
IPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L23/544
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公开(公告)号：EP3787038B1
公开(公告)日：2021-08-04
申请号：EP20000288.9
申请日：2020-08-17
发明人： Köstler, Wolfgang
IPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/0224 , H01L31/18
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公开(公告)号：EP3734668A1
公开(公告)日：2020-11-04
申请号：EP20000162.6
申请日：2020-04-20
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/04 , H01L29/205
摘要： Eine stapelförmige hochsperrende III-V-Halbleiterleistungsdiode, aufweisend eine zumindest gebietsweise ausgebildete erste metallische Anschlusskontaktschicht und einen hochdotierten Halbleiterkontaktbereich eines ersten Leitfähigkeitstyps mit einer ersten Gitterkonstante. Des Weiteren ist eine Driftschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps mit einer ersten Gitterkonstante vorgesehen. Auch ist eine Halbleiterkontaktschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps mit einer Oberseite und einer Unterseite und eine zweite metallische Anschlusskontaktschicht ausgebildet, wobei die vorgenannten Bereiche und Schichten in der genannten Reihenfolge angeordnet sind, und die zweite metallische Anschlusskontaktschicht stoffschlüssig mit der Unterseite der Halbleiterkontaktschicht verbunden ist, und die Halbleiterkontaktschicht zumindest an der Unterseite eine zweite Gitterkonstante aufweist und die zweite Gitterkonstante die Gitterkonstante von InP ist, und die Driftschicht und der hochdotierten Halbleiterkontaktbereich jeweils aus einer InGaAs Verbindung umfassen oder aus InGaAs bestehen.
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公开(公告)号：EP3731284A1
公开(公告)日：2020-10-28
申请号：EP20000205.3
申请日：2007-02-22
发明人： Dadgar, Armin , Krost, Erwin
摘要： Die Erfindung betrifft ein Nitridhalbleiterprodukt (100) mit mindestens zwei galliumhaltigen Nitridhalbleiterschichten (110, 114, 116) auf einem Siliziumsubstrat (104), das eine Siliziumoberfläche hat, wobei zwischen jeweils zwei der galliumhaltigen Nitridhalbleiterschichten (110, 114; 114, 116) unmittelbar angrenzend eine Nitridzwischenschicht (112; 115) aus AIN oder AIGaN mit einer Dicke von unter 30 nm angeordnet ist, wobei das Siliziumsubstrat (104) eine Dicke von mindestens D GaN *x aufweist, wobei D GaN die Summe der Schichtdicken der auf dem Substrat (104) abgeschiedenen Nitridhalbleiterschichten (106-122) und der vorhandenen Nitridzwischenschicht (112; 115) bezeichnet, und wobei x im Falle der Verwendung eines dotierten Siliziumsubstrats (104) 110 und im Falle der Verwendung eines undotierten Siliziumsubstrats (104) 200 beträgt, wobei das Siliziumsubstrat (104) in einer zur rückseitigen Substratfläche senkrechten Richtung entweder krümmungsfrei ist oder einen Krümmungsradius von mindestens 10 m hat.
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公开(公告)号：EP2947703B1
公开(公告)日：2019-04-17
申请号：EP14001786.4
申请日：2014-05-21
发明人： Guter, Wolfgang , Meusel, Matthias
IPC分类号： H01L31/0687
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公开(公告)号：EP2983214B1
公开(公告)日：2019-03-06
申请号：EP14002778.0
申请日：2014-08-08
IPC分类号： H01L31/16 , H01L31/167 , H02M3/335 , H03K17/78 , H04L25/26
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