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发明公开
EP3163602A2 METHOD OF PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE BY BONDING SILVER ON A SURFACE OF A SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH SILVER ON A SURFACE OF A BASE IN AIR OR IN AN OXYGEN ENVIRONMENT 审中-公开
法生产半导体器件通过将银与银的半导体元件的表面上的碱在空气或氧气环境中的表面

  • 专利标题： METHOD OF PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE BY BONDING SILVER ON A SURFACE OF A SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH SILVER ON A SURFACE OF A BASE IN AIR OR IN AN OXYGEN ENVIRONMENT
  • 专利标题（中）： 法生产半导体器件通过将银与银的半导体元件的表面上的碱在空气或氧气环境中的表面
  • 申请号： EP16002297
    申请日： 2010-01-20
  • 公开(公告)号： EP3163602A2
    公开(公告)日： 2017-05-03
  • 发明人: KURAMOTO MASAFUMI , OGAWA SATORU , NIWA MIKI
  • 申请人： NICHIA CORP
  • 专利权人： NICHIA CORP
  • 当前专利权人： NICHIA CORP
  • 优先权： JP2009013713 2009-01-23
  • 主分类号： H01L21/58
  • IPC分类号： H01L21/58 ;  H01L21/60 ;  H01L33/40 ;  H01L33/48 ;  H01L33/62 ;  H01S5/022
METHOD OF PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE BY BONDING SILVER ON A SURFACE OF A SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH SILVER ON A SURFACE OF A BASE IN AIR OR IN AN OXYGEN ENVIRONMENT
摘要：
An object of the invention is to provide a method for producing a conductive member having low electrical resistance, and the conductive member is obtained using a low-cost stable conductive material composition that does not contain an adhesive. Disclosed is a method for producing a semiconductor device in which silver (520, 620, 720) formed by silver sputtering, silver vapour deposition or silver plating and provided on a surface of a base (500, 600, 700) and silver (140, 240, 340) formed by silver sputtering, silver vapour deposition or silver plating and provided on a surface of a semiconductor element (100, 200, 300) are bonded, the method comprising the steps of arranging the semiconductor element (100, 200, 300) on the base (500, 600, 700) such that said silver (140, 240, 340) provided on a surface of the semiconductor element (100, 200, 300) is in contact with said silver (520, 620, 720) provided on a surface of the base (500, 600, 700), temporarily bonding the semiconductor element (100, 200, 300) and the base (500, 600, 700) by applying a pressure or an ultrasonic vibration to the semiconductor element (100, 200, 300) or the base (500, 600, 700), and permanently bonding the semiconductor element (100, 200, 300) and the base (500, 600, 700) by applying heat having a temperature of 150 to 900°C to the semiconductor element (100, 200, 300) and the base (500, 600, 700) in air or in an oxygen environment. The step of temporarily bonding and the step of permanently bonding may be performed simultaneously. The semiconductor element (100, 200, 300) and the base (500, 600, 700) may be heated in advance at 150 to 900°C before the step of temporarily bonding. A pressure of 5 to 50 MPa may be applied before the step of temporarily bonding. The semiconductor element (100, 200, 300) may be a light emitting semiconductor element.
摘要（中）：

本发明的一个目的是提供一种用于生产具有低电阻的导电性构件的方法，所述导电构件是用一种低成本的稳定的导电材料组合物并不含有获得，在粘接剂。 公开了一种用于生产，其中银以银溅射，银蒸镀或银电镀形成，并且设置在基座（500，600，700）和银的表面上的半导体器件（520，620，720）的方法（140， 240，340）所形成由银溅射，银蒸镀或电镀银并提供了一种半导体元件（100，200,300）的表面上的键合，该方法包括配置半导体元件（100，200的步骤，300 ）基体（500,600，700），检查这就是说，340设置在半导体元件（100，200,300）的表面上的银（140，240）是与所述银（520，620，720接触）上 设置在基座（500，600，700），通过施加压力或超声波振动到半导体元件暂时的半导体元件（100，200，300）和基部（500，600，700）接合（的表面上 100，200，300）或所述基部（500，600,700），和永久地接合半导体元件（100，200,300）和第 E型灯头（500，600，700）通过施加具有150〜900℃的半导体元件（100，200，300），并在空气中或在氧气环境中的基站（500,600，700）的热。 的暂时接合步骤和永久地结合的步骤可以同时进行。 半导体元件（100，200，300）和基部（500，600，700）可以预先在150的临时粘结步骤之前被加热到900℃。 5至50MPa的压力可能暂时结合步骤之前施加。 半导体元件（100，200，300）可以是半导体发光元件。

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