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发明公开
EP3240048A1 HALBLEITERCHIP FÜR DIE OPTOELEKTRONIK UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
用于光电子学的半导体芯片及其制造方法

HALBLEITERCHIP FÜR DIE OPTOELEKTRONIK UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
摘要：
Halbleiterchip, insbesondere strahlungsemittierender Halbleiterchip, mit einer aktiven Dünnfilmschicht (2), in der eine Photonen emittierende Zone (3) ausgebildet ist und einem Trägersubstrat (1) für die Dünnfilmschicht (2), das an einer von der Abstrahlrichtung des Chips abgewandten Seite der Dünnfilmschicht (2) angeordnet und mit dieser verbunden ist. In der aktiven Dünnfilmschicht (2) ist vom Trägersubstrat (1) her mindestens eine Kavität (8) ausgebildet, durch die an der Grenze zwischen Trägersubstrat (1) und Dünnfilmschicht (2) eine Mehrzahl von Mesen (4) ausgebildet ist.
摘要（中）：

半导体芯片，在具有有源薄膜层特别发射辐射的半导体芯片（2），其中（3）和用于该薄膜层的载体基底（1）（2）设置在从薄膜层的芯片侧的辐射方向背向侧的光子发射区形成 （2）安排并连接到此。 在从载体基板的有源薄膜层（2）（1）这里，形成至少一个腔体（8），通过该在所述载体基片（1）和薄膜层（2）之间的边界处形成多个台面（4）。

摘要（英）：

Semiconductor chip, in particular radiation-emitting semiconductor chip having an active thin film layer (2) is formed in which a photon-emitting region (3) and a carrier substrate (1) for the thin film layer (2) provided on a side facing away from the radiation direction of the chip side of the thin film layer is disposed (2) and connected thereto. In the active thin film layer (2) from the carrier substrate (1) here is formed at least one cavity (8) through which at the border between the carrier substrate (1) and thin film layer (2) is formed a plurality of mesas (4).

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