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1.发明公开Optoelektronischer Chip und Herstellungsverfahren dafür 有权Optoelektronischer Chip und Herstellungsverfahrendafür
公开(公告)号：EP1744375A1
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：EP06013665.2
申请日：2006-06-30
发明人： Wirth, Ralph , Streubel, Klaus
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Chip mit einem Halbleiterkörper (14), der einen strahlungsemittierenden Bereich (2) enthält und einem Teilbereich (3), in dem die Oberfläche (13) des Halbleiterkörpers (14) konvex zu einem Träger (10) hin gekrümmt ist, angegeben. Dabei ist die laterale Ausdehnung (2r) des strahlungsemittierenden Bereichs (2) kleiner, als die laterale Ausdehnung (2R) des Teilbereichs (3). Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Chips angegeben.
摘要翻译： 光电芯片具有具有辐射发射区域（2）的半导体本体（14），半导体本体的表面（13）弯曲并且与支撑体（10）凸起的子区域（3）。 辐射发射区域的横向范围（2r）小于子区域的横向范围（2R）。 光电子芯片的制造方法也包含独立的权利要求。
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公开(公告)号：EP1744375B1
公开(公告)日：2019-10-30
申请号：EP06013665.2
申请日：2006-06-30
发明人： Wirth, Ralph , Streubel, Klaus
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公开(公告)号：EP2267800A3
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：EP10183569.2
申请日：2001-08-08
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/10 , H01L33/30 , H01L33/405 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Halbleiterchip, insbesondere strahlungsemittierender Halbleiterchip, mit einer aktiven Dünnfilmschicht (2), in der eine Photonen emittierende Zone (3) ausgebildet ist und einem Trägersubstrat (1) für die Dünnfilmschicht (2), das an einer von der Abstrahlrichtung des Chips abgewandten Seite der Dünnfilmschicht (2) angeordnet und mit dieser verbunden ist. In der aktiven Dünnfilmschicht (2) ist vom Trägersubstrat (1) her mindestens eine Kavität (8) ausgebildet, durch die an der Grenze zwischen Trägersubstrat (1) und Dünnfilmschicht (2) eine Mehrzahl von Mesen (4) ausgebildet ist.
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公开(公告)号：EP1887634A2
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：EP07014717.8
申请日：2007-07-26
发明人： Eberhard, Franz , Linder, Norbert , Moosburger, Jürgen , Muschaweck, Julius , Sabathil, Matthias , Streubel, Klaus , Wirth, Ralph , Grötsch, Stefan , Bergenek, Krister
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/44 , G02F1/13362 , H01L33/46 , H01L33/58
摘要： Die Erfindung beschreibt ein strahlungsemittierendes Bauelement (10) mit einem auf einem Halbleitermaterial basierenden Schichtenstapel (1), der eine aktive Schichtenfolge (4) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung aufweist, und einem der aktiven Schichtenfolge (4) in Abstrahlrichtung (A) nachgeordneten Filterelement (2), mittels welchem ein erster Strahlungsanteil transmittiert wird, und ein zweiter Strahlungsanteil in den Schichtenstapel (1) reflektiert wird, wobei der zweite Strahlungsanteil einem Ablenkprozess oder einem Absorptions-und Emissionsprozess unterliegt und die abgelenkte oder emittierte Strahlung auf das Filterelement (2) auftrifft.
摘要翻译： 辐射发射部件（10）具有基于半导体材料的层叠叠层（1），并且具有用于产生电磁辐射的有源序列（4）和从辐射方向（A）向下的滤光元件（2） 到有源层序列（4），用于传输第一辐射分量并将第二辐射分量反射到堆叠层（1）中，其中第二辐射分量经历偏转过程或吸收 - 发射处理，所得到的辐射传递到 再次过滤
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公开(公告)号：EP1887634A3
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：EP07014717.8
申请日：2007-07-26
发明人： Eberhard, Franz , Linder, Norbert , Moosburger, Jürgen , Muschaweck, Julius , Sabathil, Matthias , Streubel, Klaus , Wirth, Ralph , Grötsch, Stefan , Bergenek, Krister
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/44 , G02F1/13362 , H01L33/46 , H01L33/58
摘要： Die Erfindung beschreibt ein strahlungsemittierendes Bauelement (10) mit einem auf einem Halbleitermaterial basierenden Schichtenstapel (1), der eine aktive Schichtenfolge (4) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung aufweist, und einem der aktiven Schichtenfolge (4) in Abstrahlrichtung (A) nachgeordneten Filterelement (2), mittels welchem ein erster Strahlungsanteil transmittiert wird, und ein zweiter Strahlungsanteil in den Schichtenstapel (1) reflektiert wird, wobei der zweite Strahlungsanteil einem Ablenkprozess oder einem Absorptions-und Emissionsprozess unterliegt und die abgelenkte oder emittierte Strahlung auf das Filterelement (2) auftrifft.
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公开(公告)号：EP1770767A3
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：EP06019935.3
申请日：2006-09-22
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L33/04 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02505 , H01L21/02507 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L33/025 , H01L33/30
摘要： Bei einem Halbleitersubstrat (1) aus GaAs mit einer darauf aufgebrachten Halbleiterschichtenfolge (2) enthält die Halbleiterschichtenfolge (2) eine Mehrzahl von Halbleiterschichten (3, 4, 5, 6, 7) aus Al 1-y Ga y As 1-x P x mit 0 ≤ x ≤ 1 und 0 ≤ y ≤ 1, wobei der Phosphoranteil x in mehreren der Halbleiterschichten jeweils größer als in einer benachbarten, in Wachstumsrichtung darunter liegenden Halbleiterschicht ist. Ein derartiges Halbleitersubstrat kann vorteilhaft als Quasisubstrat (8) zum Aufwachsen von weiteren Halbleiterschichten (28), die eine kleinere Gitterkonstante als GaAs aufweisen, verwendet werden.
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公开(公告)号：EP1643554A3
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：EP05021499.8
申请日：2005-09-30
发明人： Streubel, Klaus
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/00
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
摘要： Die vorliegende Erfindung beschreibt ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einer Mehrzahl von Halbleiterkörpern (10, 20, 30), die jeweils eine aktive Zone (11, 21, 31) aufweisen und im Betrieb Licht mit jeweils einer unterschiedlichen Zentralwellenlänge (λ 10 , λ 20 , λ 30 ) und einer zugeordneten spektralen Bandbreite (Δλ 10 , Δλ 20 , Δλ 30 ) emittieren, so dass durch die Mischung dieses Lichts der Eindruck weißen Lichts steht. Bei mindestens einem der Halbleiterkörper (10) variiert die Emissionswellenlänge in der aktiven Zone (11) in einer vorgegebenen Weise, so dass dadurch die spektrale Bandbreite (Δλ 10 ) des emittierenden Lichts erhöht ist.
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8.发明公开
公开(公告)号：EP1612869A2
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：EP05008671.9
申请日：2005-04-20
发明人： Streubel, Klaus
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/60 , G02B19/0028 , G02B19/0061 , G02B19/0095
摘要： Bei einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2) mit einem Strahlformungselement ist das Strahlformungselement ein Hohlkörper (1) mit einer Lichtaustrittsöffnung (7). Bei einer ersten Ausführungsform der Erfindung weist der Halbleiterchip (2) eine der Lichtaustrittsöffnung (7) gegenüberliegende Lichteintrittsöffnung (8) auf, an die der Halbleiterchip (2) angrenzt. Bei einer zweiten Ausführungsform ist der Halbeleiterchip (2) innerhalb des Hohlkörpers (1) angeordnet. Zumindest ein Teil der von dem Halbleiterchip (2) emittierten Strahlung (3) wird an einer Wand (6) des Hohlkörpers (1) zur Lichtaustrittsöffnung (7) hin reflektiert.
摘要翻译： 辐射发射半导体芯片（2）包括具有中空体（1）的辐射形成元件，具有与光入口（8）相对的光出口（7）。 芯片位于中空体的光入口处，或者突出到入光口中，使得芯片向中空体发射电磁辐射。 电磁辐射的一部分被反射到中空体的壁（6）到光出口。 对于在上述半导体芯片中使用的辐射形成元件，还包括独立权利要求。
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9.发明公开
公开(公告)号：EP1569263A2
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：EP05002608.7
申请日：2005-02-08
发明人： Streubel, Klaus
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L33/0079 , H01L2224/81224 , H01L2224/83224 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verbinden zweier Wafer(11,12), bei dem durch Übereinanderlegen der beiden Wafer (11,12) ein Kontaktbereich (15) zwischen den Wafern (11,12) gebildet wird und bei dem der Kontaktbereich (15) örtlich und zeitlich begrenzt erhitzt wird. Weiter betrifft die Erfindung eine Waferanordnung, bei der zwei übereinanderliegende Wafer (11,12), zwischen deren gegenüberliegenden Oberflächen sich ein Kontaktbereich (15) befindet, an ausgewählten Bereichen (21) ihres Kontaktbereichs miteinander verbunden sind. Das Verfahren zum Verbinden zweier Wafer (11,12), sowie die Waferanordnung sind dabei insbesondere für die Verarbeitung besonders temperaturempfindlicher Bauteile geeignet.
摘要翻译： 用于连接两个晶片（11,12）的方法包括通过将一个晶片放置在另一晶片的顶部上来形成接触区域（15）。 然后将接触区域局部加热一段有限的时间。 加热后晶片被冷却。 加热是通过激光（16）。
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公开(公告)号：EP1770767B1
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：EP06019935.3
申请日：2006-09-22
CPC分类号： H01L33/04 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02505 , H01L21/02507 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L33/025 , H01L33/30
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