- 专利标题： A LOW POWER SRAM BITCELL USING RESONANT DRIVE CIRCUITRY
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申请号： EP16831256.9申请日： 2016-07-26
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公开(公告)号： EP3329490B1公开(公告)日： 2023-04-05
- 发明人: HUFFMAN, David A.
- 专利权人： Power Down Semiconductor Inc
- 当前专利权人： Power Down Semiconductor Inc
- 当前专利权人地址： 1500 Quintana Court Fremont, CA 94539 US
- 代理机构： McKinnon, Alistair James
- 优先权： US201562282215 P 20150727
- 国际公布： WO2017019715 20170202
- 主分类号： G11C11/412
- IPC分类号： G11C11/412 ; G11C11/419 ; G11C7/06 ; G11C7/12
公开/授权文献
- EP3329490A1 A LOW POWER SRAM BITCELL USING RESONANT DRIVE CIRCUITRY 公开/授权日：2018-06-06
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