- 专利标题： MEMORY CELL WITH DIFFERENT PROGRAM AND READ PATHS FOR ACHIEVING HIGH ENDURANCE
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申请号： EP16203971.3申请日： 2016-12-14
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公开(公告)号： EP3330968B1公开(公告)日： 2019-10-09
- 发明人: Lo, Chun-Yuan , Chang, Wei-Chen , Wang, Shih-Chen
- 申请人： eMemory Technology Inc.
- 申请人地址： Room 305, No.47, Park Avenue II Rd. Hsinchu Science Park Hsin-Chu 300 TW
- 专利权人： eMemory Technology Inc.
- 当前专利权人： eMemory Technology Inc.
- 当前专利权人地址： Room 305, No.47, Park Avenue II Rd. Hsinchu Science Park Hsin-Chu 300 TW
- 代理机构： Becker Kurig Straus
- 优先权： US201615368658 20161204
- 主分类号： G11C16/04
- IPC分类号： G11C16/04 ; G11C16/10 ; G11C16/14 ; G11C16/26 ; H01L27/11558 ; H01L27/11519
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