- 专利标题： DRIVING CIRCUIT FOR NON-VOLATILE MEMORY
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申请号： EP17181462.7申请日： 2017-07-14
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公开(公告)号： EP3346474B1公开(公告)日： 2019-08-28
- 发明人: PO, Chen-Hao , CHANG, Wu-Chang
- 申请人： eMemory Technology Inc.
- 申请人地址： Room 305, No. 47 Park Avenue II Rd. Hsinchu Science Park Hsin-Chu 30075 TW
- 专利权人： eMemory Technology Inc.
- 当前专利权人： eMemory Technology Inc.
- 当前专利权人地址： Room 305, No. 47 Park Avenue II Rd. Hsinchu Science Park Hsin-Chu 30075 TW
- 代理机构： Krauns, Christian
- 优先权： US201762444379P 20170110; US201715631384 20170623
- 主分类号： G11C16/12
- IPC分类号： G11C16/12 ; G11C7/04 ; G11C7/10
公开/授权文献
- EP3346474A1 DRIVING CIRCUIT FOR NON-VOLATILE MEMORY 公开/授权日：2018-07-11
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