Die Erfindung betrifft einen elektrischen Umrichter (1), aufweisend einen Leistungshalbleiterschalter (2) mit breitem Bandabstand aus GaN oder aus InGaN, ein Trägerelement (3) zur mechanischen Aufnahme des Leistungshalbleiterschalters (2) und ein Gehäuse (4), in dessen Gehäuseinnenraum (5) das Trägerelement (3) mit dem Leistungshalbleiterschalter (2) angeordnet ist, wobei der Leistungshalbleiterschalter (2) im Betrieb des elektrischen Umrichters (1) mit einer Sperrspannung von mindestens 400V und mit einer Taktfrequenz von mindestens 40kHz betrieben wird und mindestens 60% bis zu 90% der durch den Leistungshalbleiterschalter (2) entstehenden Verlustwärme als eine erste Verlustwärme (6) zur Entwärmung an ein gasförmiges Umgebungsmedium (7) innerhalb des Gehäuseinnenraums (5) abgeführt wird.