METHOD OF MAKING A THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE HAVING DRAIN SELECT LEVEL ISOLATION STRUCTURE

发明授权

EP3494597B1 METHOD OF MAKING A THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE HAVING DRAIN SELECT LEVEL ISOLATION STRUCTURE 有权

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专利标题： METHOD OF MAKING A THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE HAVING DRAIN SELECT LEVEL ISOLATION STRUCTURE
申请号： EP17768892.6

申请日： 2017-08-30
公开(公告)号： EP3494597B1

公开(公告)日： 2022-03-09
发明人: ZHANG, Yanli , ALSMEIER, Johann , MAKALA, Raghuveer S. , KANAKAMEDALA, Senaka , SHARANGPANI, Rahul , KAI, James
专利权人： SanDisk Technologies LLC
当前专利权人： SanDisk Technologies LLC
当前专利权人地址： 6900 North Dallas Parkway Suite 325 Plano, TX 75024 US
代理机构： Dehns
优先权： US201615286063 20161005
国际公布： WO2018067250 20180412
主分类号： H01L27/1158
IPC分类号： H01L27/1158 ; H01L29/788 ; H01L29/792 ; H01L27/11524 ; H01L27/11565 ; H01L27/1157

METHOD OF MAKING A THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE HAVING DRAIN SELECT LEVEL ISOLATION STRUCTURE

公开/授权文献

EP3494597A1 THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE HAVING DRAIN SELECT LEVEL ISOLATION STRUCTURE AND METHOD OF MAKING THEREOF 公开/授权日：2019-06-12

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L27/00	由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L23/00，H01L29/00至H01L51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L25/00）
H01L27/02	.包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04	..其衬底为半导体的
H01L27/10	...在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105	....包含场效应组件的
H01L27/112	.....只读存储器结构的
H01L27/115	...... · · · · ·电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11563	....... · · · · · ·具有电荷俘获栅极绝缘层的，例如，MNOS，NROM
H01L27/11578	........ · · · · · · ·以三维布置为特征的，例如，单元胞在不同的高度层
H01L27/1158	......... · · · · · · · · 具有在不同层的源区和漏区的，例如，具有倾斜沟道的