Le procédé de fabrication d'au moins un transistor à effet de champ est tel qu'il comporte une étape de fourniture d'un substrat (1) surmonté de première, deuxième et troisième structures (100, 200, 300), la deuxième structure (200) étant agencée entre les première et troisième structures (100, 300). La deuxième structure (200) comprend au moins un premier nano-objet (201) situé à distance du substrat (1), une partie (201c) du premier nano-objet (201) étant destinée à former une zone de canal du transistor. Le procédé de fabrication comporte en outre une étape de formation d'électrodes (11, 12) du transistor comprenant : une étape de croissance par épitaxie d'un premier matériau d'où il résulte l'obtention d'une première continuité de matière (13) en premier matériau entre la deuxième structure (200) et la première structure (100), et l'obtention d'une deuxième continuité de matière (14) en premier matériau entre la deuxième structure (200) et la troisième structure (300) ; une étape de croissance par épitaxie d'un deuxième matériau, à partir du premier matériau des première et deuxième continuités de matière (13, 14), le deuxième matériau ayant un paramètre de maille différent du paramètre de maille du premier matériau des première et deuxième continuités de matière (13, 14).