公开(公告)号：EP3511293A1

公开(公告)日：2019-07-17

申请号：EP18306759.4

申请日：2018-12-20

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives ,  International Business Machines Corporation

发明人： REBOH, Shay ,  AUGENDRE, Emmanuel ,  COQUAND, Rémi ,  LOUBET, Nicolas

IPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L29/417 ,  H01L29/775 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

摘要： Le procédé de fabrication d'au moins un transistor à effet de champ est tel qu'il comporte une étape de fourniture d'un substrat (1) surmonté de première, deuxième et troisième structures (100, 200, 300), la deuxième structure (200) étant agencée entre les première et troisième structures (100, 300). La deuxième structure (200) comprend au moins un premier nano-objet (201) situé à distance du substrat (1), une partie (201c) du premier nano-objet (201) étant destinée à former une zone de canal du transistor. Le procédé de fabrication comporte en outre une étape de formation d'électrodes (11, 12) du transistor comprenant : une étape de croissance par épitaxie d'un premier matériau d'où il résulte l'obtention d'une première continuité de matière (13) en premier matériau entre la deuxième structure (200) et la première structure (100), et l'obtention d'une deuxième continuité de matière (14) en premier matériau entre la deuxième structure (200) et la troisième structure (300) ; une étape de croissance par épitaxie d'un deuxième matériau, à partir du premier matériau des première et deuxième continuités de matière (13, 14), le deuxième matériau ayant un paramètre de maille différent du paramètre de maille du premier matériau des première et deuxième continuités de matière (13, 14).

公开(公告)号：EP3442027A1

公开(公告)日：2019-02-13

申请号：EP18187257.3

申请日：2018-08-03

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives ,  International Business Machines Corporation

发明人： COQUAND, Rémi ,  LOUBET, Nicolas ,  REBOH, Shay ,  CHAO, Robin

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/775 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

摘要： Réalisation d'un dispositif microélectronique comprenant une structure semi-conductrice dotée de barreaux semi-conducteurs disposés les uns au-dessus des autres, le procédé comprenant les étapes de :
- réalisation sur un support, d'une structure empilée comportant une alternance de premiers barreaux (14-1, 14-3, 14-5, 14-7) à base d'un premier matériau et ayant une première dimension critique, et de deuxièmes barreaux (14-2, 14-4, 14-6) à base d'un deuxième matériau, le deuxième matériau étant semi-conducteur, les deuxièmes barreaux ayant une deuxième dimension critique supérieure à la première dimension critique, puis,
- dopage en surface de portions latérales (15) saillantes des deuxièmes barreaux, dépôt d'une couche de matériau diélectrique (21) sur l'empilement, puis la gravure de la couche de matériau diélectrique exposant les portions latérales dopées des deuxièmes barreaux, avant formation de bloc de source (28) et de drain (26) sur ces portions.

公开(公告)号：EP4391078A2

公开(公告)日：2024-06-26

申请号：EP23219521.4

申请日：2023-12-21

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： BARRAUD, Sylvain ,  COQUAND, Rémi ,  REBOH, Shay

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/6681 ,  H01L29/785 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/78391

摘要： Dispositif microélectronique FET (100) comprenant :
- une couche de semi-conducteur (120) dont une première zone (122) forme un canal ;
- une grille (110) et une couche (112) de diélectrique de grille ou une couche mémoire ferroélectrique, disposés contre la première zone ;
- des espaceurs diélectriques (114) disposés contre des flancs de la grille ;
- des régions de source (116) / drain (118) couplées électriquement à la première zone par des deuxièmes zones (124) de la couche active s'étendant entre les régions de source / drain et les espaceurs diélectriques ;
dans lequel les deuxièmes zones forment, avec la première zone, une couche continue, et la première zone forme une portion semi-conductrice telle que la grille recouvre plusieurs faces distinctes de la portion semi-conductrice.

公开(公告)号：EP4391069A1

公开(公告)日：2024-06-26

申请号：EP23218847.4

申请日：2023-12-20

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： BARRAUD, Sylvain ,  COQUAND, Rémi ,  REBOH, Shay

IPC分类号： H01L29/06 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/08 ,  H01L29/24 ,  H01L29/423 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66 ,  H01L29/775 ,  H01L29/778 ,  H10B53/30 ,  H10B63/00

CPC分类号： H01L29/42392 ,  H01L29/0673 ,  H10B63/30 ,  H10B63/80 ,  H10B53/30 ,  H01L29/778 ,  H01L29/775 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/45 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/42376 ,  H10B51/20 ,  H10B51/30 ,  H01L29/78391

摘要： Dispositif mémoire (100) comprenant un empilement mémoire (158) connecté électriquement en série avec un transistor de sélection, comprenant :
- une couche semi-conductrice (120) dont des premières zones (122) sont superposées et forment un canal ;
- une grille de commande électrostatique (110) et une couche de diélectrique de grille (112) telles que des parties de la couche de diélectrique de grille soient chacune disposée entre une partie (106, 108) de la grille et l'une des premières zones ;
- des espaceurs diélectriques (114) disposés contre des flancs de la grille ;
- des régions de contact (116, 118) couplées électriquement aux premières zones par des deuxièmes zones (124) de la couche de semi-conducteur s'étendant entre les régions de contact et les espaceurs, l'une des régions de contact (118) comprenant l'empilement mémoire ;
et dans lequel les deuxièmes zones forment, avec les premières zones, une couche continue.

公开(公告)号：EP3502048A1

公开(公告)日：2019-06-26

申请号：EP18214906.2

申请日：2018-12-20

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： REBOH, Shay ,  COQUAND, Rémi

IPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L29/66 ,  H01L29/775 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10

摘要： Procédé de réalisation d'au moins un transistor FET (100a, 100b) comportant :
- réalisation d'au moins une première portion semi-conductrice (114) destinée à former un canal du transistor FET,
- réalisation de deuxièmes portions semi-conductrices (122, 124, 126) destinées à former des régions de source et de drain, telles que la première portion semi-conductrice soit disposée entre des premières extrémités des deuxièmes portions semi-conductrices et que des deuxièmes extrémités des deuxièmes portions semi-conductrices, opposées aux premières extrémités, soient en contact avec des surfaces d'appui, et comprenant au moins un matériau semi-conducteur dont la structure cristalline est apte à être modifiée lorsqu'il est soumis à un traitement thermique ;
- traitement thermique engendrant une modification de la structure cristalline du matériau semi-conducteur des deuxièmes portions semi-conductrices et créant une contrainte (128) dans la première portion semi-conductrice.

公开(公告)号：EP4391078A3

公开(公告)日：2024-10-09

申请号：EP23219521.4

申请日：2023-12-21

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： BARRAUD, Sylvain ,  COQUAND, Rémi ,  REBOH, Shay

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/6681 ,  H01L29/785 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/78391

摘要： Dispositif microélectronique FET (100) comprenant :
- une couche de semi-conducteur (120) dont une première zone (122) forme un canal ;
- une grille (110) et une couche (112) de diélectrique de grille ou une couche mémoire ferroélectrique, disposés contre la première zone ;
- des espaceurs diélectriques (114) disposés contre des flancs de la grille ;
- des régions de source (116) / drain (118) couplées électriquement à la première zone par des deuxièmes zones (124) de la couche active s'étendant entre les régions de source / drain et les espaceurs diélectriques ;
dans lequel les deuxièmes zones forment, avec la première zone, une couche continue, et la première zone forme une portion semi-conductrice telle que la grille recouvre plusieurs faces distinctes de la portion semi-conductrice.

公开(公告)号：EP4391081A1

公开(公告)日：2024-06-26

申请号：EP23218845.8

申请日：2023-12-20

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： BARRAUD, Sylvain ,  COQUAND, Rémi ,  REBOH, Shay

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L29/08 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/45 ,  H01L29/775 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/778 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/45 ,  H01L29/775 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/0653 ,  H10B53/30 ,  H10B12/03 ,  H10B12/05 ,  H01L29/78696

摘要： Dispositif microélectronique (100) comprenant :
- une couche de semi-conducteur (120) semi-conductrice dont plusieurs premières zones (122) sont superposées et forment un canal ;
- une grille de commande électrostatique (110) et une couche (112) de diélectrique de grille ou une couche (112) mémoire ferroélectrique dont des parties soient chacune disposée entre une partie (106, 108) de la grille et l'une des premières zones ;
- des espaceurs diélectriques (114) disposés contre des flancs de la grille ;
- des régions de source (116) / drain (118) couplées électriquement aux premières zones par des deuxièmes zones (124) de la couche de semi-conducteur s'étendant entre les régions de source / drain et les espaceurs, et/ou entre un substrat (102) et chacune des régions de source / drain ;
et dans lequel les deuxièmes zones ne sont pas disposées directement contre la grille et forment, avec les premières zones, une couche continue.

公开(公告)号：EP3502047A1

公开(公告)日：2019-06-26

申请号：EP18214896.5

申请日：2018-12-20

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： COQUAND, Rémi ,  REBOH, Shay

IPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66 ,  H01L29/775 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

摘要： Transistor FET (100) comportant :
- une portion de semi-conducteur (104) dont une première partie (106) forme un canal ;
- une grille (108) entourant au moins partiellement la première partie ;
- des espaceurs diélectriques internes (112) disposés autour de deuxièmes parties (114) dopées de la portion de semi-conducteur entre lesquelles est disposée la première partie et formant des régions d'extension ;
- des portions électriquement conductrices source / drain (120) en contact direct avec des surfaces dopées d'extrémités (118) de la portion de semi-conducteur et en contact électrique avec des surfaces dopées de troisièmes parties (116) de la portion de semi-conducteur faisant partie de régions de source et de drain, les portions électriquement conductrices source / drain (120) et les surfaces dopées d'extrémités (118) entourant au moins partiellement les troisièmes parties (116), chacune des deuxièmes parties étant disposée entre la première partie et l'une des troisièmes parties.