VANADIUM DIOXIDE-BASED OPTICAL AND RADIOFREQUENCY SWITCHES

发明公开

EP3593374A1 VANADIUM DIOXIDE-BASED OPTICAL AND RADIOFREQUENCY SWITCHES 审中-公开

专利标题： VANADIUM DIOXIDE-BASED OPTICAL AND RADIOFREQUENCY SWITCHES
申请号： EP18764931.4

申请日： 2018-02-23
公开(公告)号： EP3593374A1

公开(公告)日： 2020-01-15
发明人: MA, Zhenqiang , EOM, Chang-Beom , LEE, Jaeseong , LEE, Daesu , CHO, Sang June , LIU, Dong
申请人： Wisconsin Alumni Research Foundation
申请人地址： 614 Walnut Street Madison, WI 53726 US
专利权人： Wisconsin Alumni Research Foundation
当前专利权人： Wisconsin Alumni Research Foundation
当前专利权人地址： 614 Walnut Street Madison, WI 53726 US
代理机构： Brookes IP
优先权： US201715451745 20170307
国际公布： WO2018164856 20180913
主分类号： H01L21/02
IPC分类号： H01L21/02 ; H01L29/10 ; H01L29/24 ; H01L29/66 ; H01L29/78 ; H01L45/00 ; H03K17/04 ; H03K17/51 ; H03K17/687

公开/授权文献

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理