L'invention a pour objet un procédé de réalisation d'une source de lumière comprenant une zone active en GeSn intercalée entre deux zones de contact. La zone active est formée directement sur une couche d'oxyde de silicium par une première croissance épitaxiale latérale d'une couche de germination en Ge suivie d'une deuxième croissance épitaxiale latérale d'une couche de base en GeSn. Avantageusement, une cavité est formée entre les zones de contact par encapsulation et gravure, de façon à guider ces croissances latérales.
Une croissance verticale de GeSn se fait ensuite à partir de la couche de base pour former une couche de structure.
La zone active est avantageusement formée dans l'empilement des couches de base et de structure. Le procédé permet d'obtenir une source de lumière à injection latérale comprenant une zone active en GeSn présentant un taux de défauts structuraux réduit.