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公开(公告)号:EP3657557A1
公开(公告)日:2020-05-27
申请号:EP19210242.4
申请日:2019-11-20
摘要: L'invention a pour objet un procédé de réalisation d'une source de lumière comprenant une zone active en GeSn intercalée entre deux zones de contact. La zone active est formée directement sur une couche d'oxyde de silicium par une première croissance épitaxiale latérale d'une couche de germination en Ge suivie d'une deuxième croissance épitaxiale latérale d'une couche de base en GeSn. Avantageusement, une cavité est formée entre les zones de contact par encapsulation et gravure, de façon à guider ces croissances latérales.
Une croissance verticale de GeSn se fait ensuite à partir de la couche de base pour former une couche de structure.
La zone active est avantageusement formée dans l'empilement des couches de base et de structure. Le procédé permet d'obtenir une source de lumière à injection latérale comprenant une zone active en GeSn présentant un taux de défauts structuraux réduit.-
公开(公告)号:EP3570330A1
公开(公告)日:2019-11-20
申请号:EP19174270.9
申请日:2019-05-14
IPC分类号: H01L31/0352 , H01L21/20 , H01L31/105 , H01L31/107 , H01L31/109
摘要: L'invention a pour objet un procédé de réalisation d'une photodiode latérale comprenant une couche 12 surmontée par un premier motif comprenant une zone d'absorption A intercalée entre deux zones de contact 1, 2. Après encapsulation du premier motif, une cavité est formée entre les zones de contact par gravure au travers d'ouvertures, puis remplie par un matériau 3 constitutif de la zone d'absorption A par épitaxie latérale de ce matériau 3 à partir des parois latérales de la cavité 42.
Selon une possibilité, une première épitaxie latérale est réalisée pour former une zone de multiplication M, puis une deuxième épitaxie latérale est réalisée pour former une zone de charge C avant l'épitaxie latérale du matériau 3 constitutif de la zone d'absorption A, de façon à obtenir une photodiode à avalanche latérale présentant un confinement optique amélioré.
L'invention a également pour objet une photodiode latérale présentant un confinement optique amélioré.-
公开(公告)号:EP3651214A1
公开(公告)日:2020-05-13
申请号:EP19207137.1
申请日:2019-11-05
IPC分类号: H01L31/105 , G02B6/12 , H01L31/18
摘要: L'invention a pour objet un procédé de réalisation d'une photodiode comprenant une zone d'absorption A en Ge intercalée entre deux zones de contact 1, 2. La zone d'absorption A est formée directement sur une couche 12 d'oxyde de silicium par une première croissance épitaxiale latérale suivie d'une deuxième croissance épitaxiale verticale. Avantageusement, une cavité est formée entre les zones de contact par encapsulation et gravure, de façon à guider la première croissance latérale de Ge. Cette première croissance forme une couche de base présentant un taux de défauts structuraux réduit.
La deuxième croissance de Ge se fait ensuite à partir de cette couche de base, pour obtenir une couche de structure présentant une épaisseur plus importante tout en conservant un taux de défauts structuraux réduit.
La zone d'absorption A est avantageusement formée dans l'empilement des couches de base et de structure, de façon à obtenir une photodiode latérale GeOl.
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