- 专利标题： DISPOSITIF DE PROTECTION CONTRE DES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES
- 专利标题（英）： DEVICE FOR PROTECTION AGAINST ELECTROSTATIC DISCHARGES
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申请号： EP20167692.1申请日： 2020-04-02
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公开(公告)号： EP3719839A1公开(公告)日： 2020-10-07
- 发明人: LACONDE, Eric , ORY, Olivier
- 申请人： STMicroelectronics (Tours) SAS
- 申请人地址： 10, Rue Thales de Milet 37100 Tours FR
- 专利权人： STMicroelectronics (Tours) SAS
- 当前专利权人： STMicroelectronics (Tours) SAS
- 当前专利权人地址： 10, Rue Thales de Milet 37100 Tours FR
- 代理机构： Cabinet Beaumont
- 优先权： FR1903658 20190405
- 主分类号： H01L27/02
- IPC分类号： H01L27/02 ; H01L29/87 ; H02H9/04
摘要：
La présente description concerne un dispositif (200) de protection contre des décharges électrostatiques, comportant :
- un substrat semiconducteur (101) d'un premier type de conductivité revêtu d'une couche semiconductrice (103) du second type de conductivité ;
- à l'interface entre le substrat (101) et la couche (103), une région enterrée (105) du second type de conductivité ;
- des premier (107) et deuxième (109) caissons du premier type de conductivité formés dans la couche (103) du côté de sa face opposée au substrat (101) ;
- une région (111) du deuxième type de conductivité formée dans le deuxième caisson (109) du côté de sa face opposée au substrat (101) ; et
- une première région d'arrêt de canal (201) du deuxième type de conductivité formée dans la couche (103) du côté de sa face opposée au substrat (101) et séparant latéralement les premier (107) et deuxième (109) caissons.
- un substrat semiconducteur (101) d'un premier type de conductivité revêtu d'une couche semiconductrice (103) du second type de conductivité ;
- à l'interface entre le substrat (101) et la couche (103), une région enterrée (105) du second type de conductivité ;
- des premier (107) et deuxième (109) caissons du premier type de conductivité formés dans la couche (103) du côté de sa face opposée au substrat (101) ;
- une région (111) du deuxième type de conductivité formée dans le deuxième caisson (109) du côté de sa face opposée au substrat (101) ; et
- une première région d'arrêt de canal (201) du deuxième type de conductivité formée dans la couche (103) du côté de sa face opposée au substrat (101) et séparant latéralement les premier (107) et deuxième (109) caissons.
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