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    CONVERTISSEUR DE TENSION
    1.
    发明公开
    CONVERTISSEUR DE TENSION 审中-公开

    公开(公告)号：EP4148970A1

    公开(公告)日：2023-03-15

    申请号：EP22194011.7

    申请日：2022-09-06

    申请人： STMicroelectronics (Tours) SAS

    发明人： HAGUE, Yannick ,  LAUNOIS, Romain

    IPC分类号： H02M7/5388

    摘要： La présente description concerne un convertisseur de tension comprenant des premier et deuxième transistors reliés entre des premier et deuxième noeuds, des premier et deuxième thyristors reliés entre les premier et deuxième noeuds, dans lequel :
    - dans des premières périodes, le premier transistor et le deuxième thyristor sont passants et le deuxième transistor et le premier thyristor sont bloqués, et
    - dans des deuxièmes périodes, le premier transistor et le deuxième thyristor sont bloqués et le deuxième transistor et le premier thyristor sont passants,
    certaines premières périodes étant suivies d'une troisième période dans laquelle les premier, deuxième transistors et le deuxième thyristor sont bloqués et un courant est injecté dans la gâchette du premier thyristor, certaines deuxièmes périodes étant suivies d'une quatrième période dans laquelle les premier, deuxième transistors et le premier thyristor sont bloqués et un courant est injecté dans la gâchette du deuxième thyristor.

    PROTECTION CONTRE DES SURTENSIONS
    2.
    发明公开
    PROTECTION CONTRE DES SURTENSIONS 审中-公开

    公开(公告)号：EP3836329A1

    公开(公告)日：2021-06-16

    申请号：EP20210186.1

    申请日：2020-11-27

    申请人： STMicroelectronics Inc. ,  STMicroelectronics (Tours) SAS

    发明人： ROUVIERE, Mathieu ,  BLAUSER, Jeffrey ,  GRANGE, Karl ,  SAADNA, Mohamed

    IPC分类号： H02H3/20 ,  G06F1/26 ,  H02H3/00

    摘要： La présente description concerne une interface d'alimentation (414) comprenant :
    un premier interrupteur (309) reliant une borne d'entrée (301) de l'interface à une borne de sortie (305) de l'interface ;
    un pont diviseur (311) de tension reliant la borne d'entrée (301) à un nœud de référence (313) configuré pour recevoir un potentiel de référence (GND) ;
    un comparateur (323) dont une première entrée est connectée à un premier nœud (319) du pont diviseur et dont une deuxième entrée est configurée pour recevoir un potentiel constant (Vth) ;
    un convertisseur numérique analogique (DAC) ;
    un deuxième interrupteur (329) reliant une sortie du convertisseur (DAC) à un deuxième nœud (321) du pont diviseur (311) ; et
    un premier circuit (331) configuré pour commander le deuxième interrupteur (329) et le convertisseur (DAC),
    dans lequel une commande du premier interrupteur est déterminée par un signal de sortie (comp_sig) du comparateur (323).

    DISPOSITIF DE PROTECTION CONTRE DES SURTENSIONS
    7.
    发明公开
    DISPOSITIF DE PROTECTION CONTRE DES SURTENSIONS 审中-公开
    防止过电压的装置

    公开(公告)号：EP3273486A1

    公开(公告)日：2018-01-24

    申请号：EP17156145.9

    申请日：2017-02-14

    申请人： STMicroelectronics (Tours) SAS

    发明人： ARNAUD, Aurélie

    IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/66 ,  H01L27/02

    CPC分类号： H01L27/0255 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66113 ,  H01L29/861 ,  H02H9/044

    摘要： L'invention concerne un dispositif (20) de protection contre les surcharges électrostatiques comprenant successivement :
    un substrat (22) semiconducteur très fortement dopé d'un premier type de conductivité ;
    une première couche semiconductrice enterrée (24) fortement dopée d'un deuxième type de conductivité ;
    une première couche (28) semiconductrice faiblement dopée du deuxième type de conductivité ; et
    une deuxième couche (30) fortement dopée du premier type de conductivité,
    ce dispositif (20) comprenant en outre, entre la première couche enterrée (24) et la première couche (28), une troisième couche (26) dopée du premier type de conductivité, ayant une épaisseur et une concentration en atomes dopants adaptées à former à la jonction de la première couche (28) et de la troisième couche (26) une diode (12) fonctionnant en inverse en perçage.

    摘要翻译： 本发明涉及一种用于防止静电过载的装置（20），该装置（20）依次包括：第一导电类型的高掺杂半导体衬底（22） 重掺杂第二导电类型的第一埋入半导体层（24） 第二导电类型的第一弱掺杂半导体层（28） 和所述第一导电类型的第二高掺杂第二层（30），所述器件（20）还包括位于所述第一掩埋层（24）和所述第一层（28）之间的第一类型的第三掺杂层（26） 导体具有适合于在第一层（28）和第三层（26）的接合处形成反向钻孔操作的二极管（12）的掺杂原子的厚度和浓度。

    COMPOSANT DE PUISSANCE PROTÉGÉ CONTRE LES SURCHAUFFES
    8.
    发明公开
    COMPOSANT DE PUISSANCE PROTÉGÉ CONTRE LES SURCHAUFFES 审中-公开
    电源组件受到过热保护

    公开(公告)号：EP3226303A1

    公开(公告)日：2017-10-04

    申请号：EP16184603.5

    申请日：2016-08-17

    申请人： STMicroelectronics (Tours) SAS

    发明人： MENARD, Samuel

    IPC分类号： H01L29/747 ,  H01L29/74 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

    CPC分类号： H01L27/0248 ,  H01L29/41716 ,  H01L29/42308 ,  H01L29/7404 ,  H01L29/7416 ,  H01L29/747 ,  H01L29/87

    摘要： L'invention concerne un triac (40) à structure verticale comprenant, du côté de la face supérieure d'un substrat (43) en silicium : une métallisation principale (A1) dont une première partie repose sur une première région (47) d'un premier type de conductivité formée dans une couche (45) du deuxième type de conductivité, et dont une deuxième partie repose sur une partie de ladite couche ; une métallisation de gâchette (G) reposant sur une deuxième région (51) du premier type de conductivité formée dans ladite couche (45), au voisinage de la première région (47) ; et au moins un barreau (57) de silicium poreux formé dans ladite couche, une première extrémité (57A) dudit barreau étant en contact avec la métallisation de gâchette, et la deuxième extrémité (57B) dudit barreau étant en contact avec la métallisation principale.

    摘要翻译： 本发明涉及包含硅的基板（43）的上表面侧的垂直结构的三端双向可控硅（40）：主金属化（A1）的基础上的第一区域（47）具有第一部分的 第一导电类型，形成在第二导电类型的层（45）中，并且其第二部分搁置在所述层的一部分上; 在第一区域（47）附近位于在所述层（45）中形成的第一导电类型的第二区域（51）上的栅极金属化层（G）; 和形成在所述层的多孔硅中的至少一个杆（57），第一端（57A）的所述杆与所述栅极金属化层接触，和第二端（57B），所述杆与所述主金属接触的。

    DIODE SCHOTTKY HAUTE TENSION À NITRURE DE GALLIUM
    9.
    发明公开
    DIODE SCHOTTKY HAUTE TENSION À NITRURE DE GALLIUM 有权
    HOCHSPANNUNGS-SCHOTTKY-DIODE AUS GALLIUMNITRID

    公开(公告)号：EP3144977A2

    公开(公告)日：2017-03-22

    申请号：EP16156460.4

    申请日：2016-02-19

    申请人： STMicroelectronics (Tours) SAS

    发明人： YVON, Arnaud

    IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/205 ,  H01L29/417 ,  H01L21/329

    摘要： Diode Schottky comprenant, entre une face inférieure et une face supérieure : un support de silicium (31) ; une couche de GaN non dopé (5) ; un ou plusieurs motifs formés dans une couche d'AlGaN (7) dont chacun s'étend entre une première métallisation (37) formant un contact ohmique et une deuxième métallisation (40) formant un contact Schottky ; des premiers vias (46) s'étendant des deuxièmes métallisations vers la face supérieure ; et des deuxièmes vias (38) s'étendant des premières métallisations vers la face inférieure.

    摘要翻译： 在硅载体上形成肖特基二极管。 非掺杂GaN层覆盖在硅载体上。 AlGaN层覆盖在非掺杂GaN层上。 形成欧姆接触的第一金属化和形成肖特基接触的第二金属化被提供在AlGaN层中和其上。 第一通孔从第一金属化延伸到硅支撑。 第二通孔从第二金属化延伸到上表面。